[发明专利]射频器件

权利要求书

1.一种射频RF器件，该RF器件包括：

基板，该基板具有第一表面和与所述第一表面平行的第二表面，所述基板包括电绝缘材料；

RF组件，该RF组件被构造为设置在所述基板的所述第一表面上的滤波器；

导电层，该导电层设置在所述基板的所述第二表面上，所述导电层形成与所述RF组件电绝缘的接地平面；以及

缺陷接地结构，该缺陷接地结构设置在所述基板的所述第一表面上并且电连接到所述导电层，所述缺陷接地结构设置在所述RF组件旁边并且包括多个横向延伸构件，所述多个横向延伸构件指向所述RF组件并且与所述RF组件分隔开，

其中，所述缺陷接地结构的谐振频率高于所述RF组件的截止频率，其中，所述缺陷接地结构拒绝所述RF组件的通带之外的频率。

2.根据权利要求1所述的RF器件，其中，所述缺陷接地结构包括一间隙，所述间隙介于相邻的横向延伸构件之间，其中，所述缺陷接地结构的谐振频率是基于所述多个横向延伸构件的维度的。

3.根据权利要求2所述的RF器件，其中，所述多个横向延伸构件包括多个第一横向延伸构件和多个第二横向延伸构件，所述多个第一横向延伸构件从沿着所述RF组件的第一侧设置的第一导体开始延伸，并且所述多个第二横向延伸构件从沿着所述RF组件的与所述第一侧相反的第二侧设置的第二导体开始延伸。

4.根据权利要求2所述的RF器件，其中，所述多个横向延伸构件中的各个横向延伸构件具有与所述RF组件的纵轴垂直的纵轴。

5.根据权利要求2所述的RF器件，其中，所述多个横向延伸构件中的各个横向延伸构件具有不与所述RF组件的纵轴平行的纵轴。

6.根据权利要求3所述的RF器件，其中，所述缺陷接地结构是关于所述RF组件的纵轴对称的。

7.根据权利要求2所述的RF器件，其中，所述多个横向延伸构件不均匀地间隔开。

8.根据权利要求2所述的RF器件，其中，所述多个横向延伸构件中的至少一个横向延伸构件具有非线性形状。

9.根据权利要求2所述的RF器件，其中，所述多个横向延伸构件中的至少一个横向延伸构件具有扇形形状，或者具有T形形状，或者具有不统一的宽度、或者是包括至少两个相邻的横向延伸构件的至少一个回路。

10.根据权利要求1所述的RF器件，其中，所述滤波器是低通滤波器或带通滤波器。

11.根据权利要求1所述的RF器件，所述RF器件还包括导电盖，该导电盖设置在所述RF组件和所述缺陷接地结构上，所述导电盖电联接至所述接地平面。

12.一种射频RF器件，该RF器件包括：

基板，该基板包含介电材料；

RF组件，该RF组件被设置在所述基板的第一表面上，所述RF组件包括与带通滤波器级联的低通滤波器；

接地平面，该接地平面设置在所述基板的与所述第一表面相反的第二表面上，并且与所述RF组件电绝缘；以及

缺陷接地结构，该缺陷接地结构设置在所述基板的所述第一表面上并且电连接到所述接地平面，所述缺陷接地结构包括多个横向构件，所述多个横向构件向着所述RF组件延伸并且与所述RF组件分隔开，

其中，所述缺陷接地结构的谐振频率高于所述RF组件的截止频率，并且

其中，所述缺陷接地结构拒绝所述RF组件的通带之外的频率。

13.根据权利要求12所述的RF器件，其中，所述多个横向构件包括多个第一横向构件和多个第二横向构件，所述多个第一横向构件从沿着所述RF组件的第一侧设置的第一导体开始延伸，并且所述多个第二横向构件从沿着所述RF组件的与所述第一侧相反的第二侧设置的第二导体开始延伸。