[发明专利]射频器件

说明书

本发明公开了一种射频器件。一种微波或射频RF器件包括基板，该基板包括电绝缘材料。该基板具有第一表面和与第一表面平行的第二表面。该RF器件还包括设置在基板的第一表面上的RF组件。该RF器件还包括设置在基板的第二表面上的导电层，导电层形成与RF组件电绝缘的接地平面。该RF器件还包括设置在基板的与第一表面共面的表面上的缺陷接地结构，其中，该缺陷接地结构电连接到导电层，并且其中，该缺陷接地结构包括与RF组件相邻并且相对于RF组件横向延伸的多个横向延伸构件。

技术领域

本发明涉及与射频组件共面的缺陷接地结构。

背景技术

微波和射频(RF)电路可以包括诸如可以对输入信号进行滤波以生成滤波输出信号的滤波器的组件。滤波器可以包括例如带通滤波器、高通滤波器、低通滤波器等。

发明内容

在一个实施方式中，一种RF器件包括具有第一表面和与所述第一表面平行的第二表面的基板，所述基板包括电绝缘材料。所述RF器件还包括设置在所述基板的所述第一表面上的RF组件。所述RF器件还包括设置在所述基板的所述第二表面上的导电层，所述导电层形成与所述RF组件电绝缘的接地平面。所述RF器件还包括设置在所述基板的与所述第一表面共面的表面上的缺陷接地结构，其中，所述缺陷接地结构电连接到所述导电层，并且其中，所述缺陷接地结构包括与所述RF组件相邻并且相对于所述RF组件横向延伸的多个横向延伸构件。

在一些实施方式中，所述多个横向延伸构件中的两个相邻构件限定一间隙，所述间隙具有在与所述RF组件的纵轴平行的方向上的尺寸。在一些实施方式中，所述多个横向延伸构件包括第一横向延伸构件以及第二横向延伸构件，所述第一横向延伸构件设置在所述RF组件的第一侧，并且所述第二横向延伸构件设置在所述RF组件的与所述第一侧相反的第二侧。在一些实施方式中，所述多个横向延伸构件中的各个横向延伸构件具有与所述RF组件的纵轴垂直的纵轴。在一些实施方式中，所述多个横向延伸构件中的各个横向延伸构件具有与所述RF组件的纵轴不垂直的纵轴。

在一些实施方式中，所述缺陷接地结构的形状是关于所述RF组件的纵轴对称的。在一些实施方式中，所述多个横向延伸构件被不均匀地间隔开。在一些实施方式中，所述多个横向延伸构件中的至少一个横向延伸构件具有非线性形状。在一些实施方式中，所述多个横向延伸构件中的至少一个横向延伸构件具有扇形形状。在一些实施方式中，所述多个横向延伸构件中的至少一个横向延伸构件具有T形形状。在一些实施方式中，所述缺陷接地结构限定通过连接所述多个横向延伸构件中的至少两个横向延伸构件而形成的至少一个回路(例如，利用或使用至少一个导电区域和/或至少一个互连构件)，所述至少一个回路围绕所述基板的所述第一表面的露出区域延伸。在一些实施方式中，所述多个横向延伸构件具有在与所述RF组件的纵轴的方向平行的方向上测量的不统一宽度。

在一些实施方式中，所述RF组件包括输入端子和输出端子，其中，所述多个横向延伸构件与所述RF组件的位于所述输入端子与所述输出端子之间的一部分相邻地设置。在一些实施方式中，所述多个横向延伸构件的、在与所述RF组件的纵轴正交并且与所述RF组件共面的维度中测量到的长度是所述缺陷接地结构的谐振频率的函数。

在一些实施方式中，所述缺陷接地结构的谐振频率大于所述RF组件的截止频率，其中，所述RF组件是低通滤波器。在一些实施方式中，所述器件还包括带通滤波器，所述带通滤波器设置在所述基板的所述第一表面上并且与所述RF组件联接，其中，所述缺陷接地结构的谐振频率大于所述带通滤波器的最高通带频率。

在一些实施方式中，所述缺陷接地结构的谐振频率具有1GHz至300GHz范围内的值。在一些实施方式中，所述器件还包括设置在所述基板的所述第一表面上的导电盖，所述导电盖与所述缺陷接地结构电联接，其中，所述导电盖覆盖所述RF组件。在一些实施方式中，所述缺陷接地结构包括在与所述RF组件的纵轴平行的方向上延伸的导电区域，其中，所述导电区域与覆盖所述RF组件的导电盖电联接。在一些实施方式中，所述缺陷接地结构包括用于附接覆盖所述RF组件的导电盖的通孔，所述通孔在所述缺陷接地结构、所述导电盖与所述导电层之间提供电连接。