[发明专利]包括嵌入式磁体叠置件的部件承载件在审
申请号: | 202010373107.6 | 申请日: | 2020-05-06 |
公开(公告)号: | CN111988911A | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 杰拉尔德·魏丁格尔;格拉尔德·魏斯;伊万·萨尔科维奇;卡尔·基希海默尔 | 申请(专利权)人: | 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 |
主分类号: | H05K1/18 | 分类号: | H05K1/18;H01F27/255;H01F27/28;H01L23/14;H02J7/00;H02J50/00;H02J50/10;H02M1/00 |
代理公司: | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人: | 王晖;曹桓 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 嵌入式 磁体 叠置件 部件 承载 | ||
1.一种部件承载件(100),包括:
基部材料叠置件(102),所述基部材料叠置件(102)包括至少一个电传导层结构(104)和/或至少一个电绝缘层结构(106);以及
磁体叠置件(108),所述磁体叠置件(108)包括多个磁性层(110)和至少一个结合层(112),所述至少一个结合层(112)中的每个结合层与相应地相邻的两个磁性层(110)结合;
其中,所述磁体叠置件(108)被嵌入在所述基部材料叠置件(102)中。
2.根据权利要求1所述的部件承载件(100),包括下述特征中的至少一者:
其中,所述至少一个结合层(112)是温度稳定的,特别地,所述至少一个结合层(112)在至少达300℃的温度处是温度稳定的;
其中,所述至少一个结合层(112)包括环氧树脂或由环氧树脂构成,并且所述至少一个结合层(112)特别地不含增强结构,更特别地不含增强纤维;
其中,所述磁性层(110)的至少一部分由纳米晶磁性材料制成;
其中,所述磁性层(110)的至少一部分包括铁-硅复合物;
其中,所述磁性层(110)的至少一部分具有为至少10000、特别地为至少50000的磁导率。
3.根据权利要求1所述的部件承载件(100),包括与所述磁体叠置件(108)耦合的线圈结构(114),特别地,所述线圈结构(114)至少部分地容置所述磁体叠置件(108)的至少一部分。
4.根据权利要求3所述的部件承载件(100),包括下述特征中的至少一者:
其中,所述线圈结构(114)被设置为平坦线圈,所述平坦线圈特别地以螺旋形的方式形成,并且特别地形成在所述基部材料叠置件(102)的最外部的电传导层结构(104)上或最外部的两个电传导层结构(104)上;
其中,所述线圈结构(114)包括多个螺旋绕组和/或多个环形绕组;
其中,所述线圈结构(114)包括铜和/或所述至少一个电传导层结构(104)的材料、或者所述线圈结构(114)由铜和/或所述至少一个电传导层结构(104)的材料构成。
5.根据权利要求1所述的部件承载件(100),包括下述特征中的至少一者:
所述部件承载件(100)包括至少一个表面安装部件(116),所述表面安装部件特别地为至少一个有源部件和/或至少一个无源部件,其中特别地,所述至少一个表面安装部件(116)安装在所述部件承载件(100)的主表面上,所述主表面与所述部件承载件(100)的另一主表面相反,在所述另一主表面处和/或所述另一主表面中形成有所述线圈结构(114);
其中,所述至少一个结合层(112)中的各个结合层的厚度(d)在介于1μm与20μm之间的范围内;
其中,所述磁性层(110)中的各个磁性层的厚度(D)在介于3μm与70μm之间的范围内,特别地在介于10μm与50μm之间的范围内;
其中,所述磁体叠置件(108)的整个厚度(L)在介于100μm与1mm之间的范围内,特别地在介于200μm与500μm之间的范围内;
其中,所述磁体叠置件(108)形成为环形件;
所述部件承载件(100)包括介电盘(140),所述介电盘(140)作为嵌体插入在所述环形件的中央通孔中;
其中,介电材料的与所述磁性层(110)的至少一部分相接触的至少一部分具有为至少1W/mK、特别地为至少3W/mK的热导率;
其中,所述磁体叠置件(108)仅沿着所述基部材料叠置件(102)的横向延伸部和/或竖向延伸部的子部分延伸。
6.根据权利要求1所述的部件承载件(100),其中,所述磁体叠置件(108)具有至少一个间隙(120),所述至少一个间隙特别地为多个周向分布的间隙(120),更特别地为三个间隙(120)。
7.根据权利要求6所述的部件承载件(100),其中,所述至少一个间隙(120)被填充有固态介电材料,或者所述至少一个间隙(120)为气隙。
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