[发明专利]等离子体处理装置、温度控制方法以及记录介质

说明书

本发明提供一种等离子体处理装置、温度控制方法以及记录介质。控制针对加热器的供给电力以使加热器的温度成为固定，测量部测量过渡状态和第二稳定状态下的供给电力，所述过渡状态为从等离子体点火且针对加热器的供给电力稳定了的第一稳定状态转变为等离子体熄火的状态之后的针对加热器的供给电力增加的状态，所述第二稳定状态为等离子体熄火且针对加热器的供给电力稳定了的状态。参数计算部使用测量出的过渡状态和第二定常状态的供给电力，对以来自等离子体的热输入量以及被处理体与加热器间的热阻为参数来计算过渡状态的供给电力的计算模型进行拟合，来计算热输入量和热阻。温度计算部使用计算出的热输入量和热阻来计算第一稳定状态下的被处理体的温度。

技术领域

本公开涉及一种等离子体处理装置、温度控制方法以及记录介质。

背景技术

在专利文献1中提出了一种在载置半导体晶圆的载置台内埋入能够进行温度控制的加热器并通过加热器进行半导体晶圆的温度的控制的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-001688号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够高精度地求出等离子体处理中的被处理体的温度的技术。

用于解决问题的方案

基于本公开的一个方式的等离子体处理装置具有载置台、加热器控制部、测量部、参数计算部以及温度计算部。载置台设置有加热器，该加热器能够调整用于载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面的温度。加热器控制部控制针对加热器的供给电力，以使加热器成为设定的设定温度。通过加热器控制部来控制针对加热器的供给电力以使加热器的温度固定，测量部测量过渡状态和的第二稳定状态下的供给电力，所述过渡状态为从等离子体点火且针对加热器的供给电力稳定后的第一稳定状态转变为等离子体熄火的状态之后的针对加热器的供给电力增加的状态，所述第二稳定状态为等离子体熄火且针对加热器的供给电力稳定了的状态。参数计算部使用由测量部测量出的过渡状态和第二稳定状态的供给电力，对以来自等离子体的热输入量以及被处理体与加热器间的热阻为参数来计算过渡状态的供给电力的计算模型进行拟合，来计算热输入量和热阻。温度计算部使用由参数计算部计算出的热输入量和热阻来计算第一稳定状态下的被处理体的温度。

发明的效果

根据本公开，能够高精度地求出等离子体处理中的被处理体的温度。

附图说明

图1是表示实施方式所涉及的等离子体处理装置的概要结构的一例的截面图。

图2是表示实施方式所涉及的载置台的俯视图。

图3是表示实施方式所涉及的控制等离子体处理装置的控制部的概要结构的框图。

图4是示意性地表示实施方式所涉及的载置台附近的能量的流动的图。

图5是表示晶圆的温度和针对加热器的供给电力的变化的一例的图。

图6A是示意性地表示图5的期间T3中的载置台附近的能量的流动的图。

图6B是示意性地表示图5的期间T4中的载置台附近的能量的流动的图。

图6C是示意性地表示图5的期间T5中的载置台附近的能量的流动的图。

图7是表示由于晶圆W与静电吸盘的表面间的热阻的变化引起的、期间T4中的针对加热器HT的供给电力的变化的一例的图。