[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 202010373740.5 | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN113629128B | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 刘磊;刘伟;袁愿林;龚轶 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/808 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215200 江苏省苏州市苏州工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
n型漏区；
位于所述n型漏区之上的n型外延层；
位于所述n型外延层内且远离所述n型漏区一侧的至少两个栅区；
位于所述n型外延层内且位于相邻的所述栅区之间的n型源区；
位于所述n型外延层内且介于所述栅区和所述n型漏区之间的至少一个p型柱；
所述栅区包括p型掺杂区；
所述p型掺杂区通过栅极金属外接栅极电压；
所述栅区还包括位于所述p型掺杂区两侧的栅沟槽，所述栅沟槽内设有栅介质层和栅极，所述栅极外接栅极电压。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极金属凹陷在所述p型掺杂区内。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，每个所述p型掺杂区下方均设置一个所述p型柱，所述p型柱通过对应的所述p型掺杂区外接栅极电压。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述p型掺杂区的横向宽度小于所述p型柱的横向宽度。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述p型柱浮空设置。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述p型柱的数量大于、等于或者小于所述栅区的数量。
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