[发明专利]阵列基板的制作方法及阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

S10、制备间隔层以及包覆于所述间隔层内并位于所述阵列基板的主动区内的电晶体器件于基底上，以及制备光阻层于所述间隔层上；

S20、采用半色调掩膜板对所述光阻层进行刻蚀，且去除位于所述阵列基板的非主动区的第三位置的全部所述光阻层，以及在位于所述主动区的第一位置和第二位置形成厚薄不一的所述光阻层；

S30、去除所述第三位置的部分所述间隔层，使所述第三位置的所述间隔层的厚度减少第一距离；

S40、去除所述第二位置的全部所述光阻层，以及去除所述第一位置的部分所述光阻层，使所述第一位置的所述光阻层所减少的厚度与所述第二位置的所述光阻层所减少的厚度相同；

S50、去除所述第二位置的部分所述间隔层，使所述第二位置的所述间隔层的厚度减少第二距离、以及去除所述第三位置的部分所述间隔层，使所述第三位置的所述间隔层的厚度减少第三距离；

S60、去除所述第一位置的全部所述光阻层；

S70、去除所述第一位置的部分所述间隔层，使所述第一位置的所述间隔层的厚度减少第四距离以形成第一孔结构、去除所述第二位置的部分所述间隔层，使所述第二位置的所述间隔层的厚度减少第五距离以形成第二孔结构、以及去除所述第三位置的部分所述间隔层，使所述第三位置的所述间隔层的厚度减少第六距离以形成第三孔结构；以及

S80、制备电极器件以及钝化层于所述间隔层上，以形成所述阵列基板。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述S20中，所述第一位置的所述光阻层的厚度大于所述第二位置的所述光阻层的厚度。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述S30中还包括去除所述第一位置和所述第二位置的部分所述光阻层，所述S50中还包括去除所述第一位置的部分所述光阻层。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述间隔层包括依次制备于所述基底上的阻挡层、缓冲层、第一绝缘层、第二绝缘层以及栅绝缘层，所述电晶体器件包括制备于所述缓冲层上的有源层、制备于所述第一绝缘层上的第一栅极以及制备于所述第二绝缘层上的第二栅极，且所述栅绝缘层覆盖所述第二栅极。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第四距离大于所述第二绝缘层以及所述栅绝缘层的厚度之和，所述第二距离与所述第五距离之和大于所述缓冲层、所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述栅绝缘层的厚度之和，所述第一距离、所述第三距离以及所述第六距离之和大于所述阻挡层、所述缓冲层、所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述栅绝缘层的厚度之和。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述S70中，形成所述第一孔结构所去除的膜层还包括部分所述第一绝缘层以及部分所述有源层，且所述第一孔结构包括位于所述有源层两侧的第一孔腔和第二孔腔，并分别制备源极和漏极于所述第一孔腔以及所述第二孔腔内。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述非主动区包括弯折区，所述第三孔结构位于所述弯折区内，且在所述阵列基板的制作方法中，随着所述间隔层的厚度减少，所述第一孔结构、所述第二孔结构以及所述第三孔结构的内径也跟着缩减。

8.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述半色调掩膜板包括半透区以及全透区，其中，所述半透区与所述第一位置、所述第二位置相对位，所述全透区与所述第三位置相对位。