[发明专利]阵列基板的制作方法及阵列基板、显示装置有效
申请号: | 202010374078.5 | 申请日: | 2020-05-06 |
公开(公告)号: | CN111584555B | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 张毅先;龚吉祥;鲜于文旭 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L27/12;G09F9/30 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 吕姝娟 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 制作方法 显示装置 | ||
本申请公开了一种阵列基板的制作方法及阵列基板、显示装置,所述方法通过采用半色调掩膜板在光阻层上刻蚀出厚薄不一的区域,并在不同的区域制作不同尺寸的孔结构,仅需一道光罩工艺便可制作多个不同尺寸的孔结构,将现有技术中的四道光罩工艺优化为一道光罩工艺,减少了设备和材料的投入,降低了生产成本,简化了工艺工序,提高了产品竞争力。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板的制作方法及阵列基板、具有该阵列基板的显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示技术采用有机材料涂层,具有自发光的特性,OLED显示屏可视角度大,节省电能,得到了广泛应用,而OLED显示屏最大的特点在于可以实现柔性显示,可折叠的OLED显示屏是目前的重要发展方向。
但是折叠屏终端的价格居高不下,成为折叠屏应用的一个重要阻碍因素,目前,在折叠屏的生产过程中,通常有多道光罩工艺以形成图案,且现有工艺均无法较好的改善OLED折叠屏生产技术中光罩数量繁多的弊端。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板、显示装置,能够通过一道光罩工艺代替四道光罩工艺,以解决现有技术中光罩数量繁多、成本高、工艺复杂的技术问题。
为解决上述技术问题,本申请提供一种阵列基板的制作方法,所述方法包括:
S10、制备间隔层以及包覆于所述间隔层内并位于所述阵列基板的主动区内的电晶体器件于基底上,以及制备光阻层于所述间隔层上;
S20、采用半色调掩膜板对所述光阻层进行刻蚀,且去除位于所述阵列基板的非主动区的第三位置的全部所述光阻层,以及在位于所述主动区的第一位置和第二位置形成厚薄不一的所述光阻层;
S30、去除所述第三位置的部分所述间隔层,使所述第三位置的所述间隔层的厚度减少第一距离;
S40、去除所述第二位置的全部所述光阻层,以及去除所述第一位置的部分所述光阻层,使所述第一位置的所述光阻层所减少的厚度与所述第二位置的所述光阻层所减少的厚度相同;
S50、去除所述第二位置的部分所述间隔层,使所述第二位置的所述间隔层的厚度减少第二距离、以及去除所述第三位置的部分所述间隔层,使所述第三位置的所述间隔层的厚度减少第三距离;
S60、去除所述第一位置的全部所述光阻层;
S70、去除所述第一位置的部分所述间隔层,使所述第一位置的所述间隔层的厚度减少第四距离以形成第一孔结构、去除所述第二位置的部分所述间隔层,使所述第二位置的所述间隔层的厚度减少第五距离以形成第二孔结构、以及去除所述第三位置的部分所述间隔层,使所述第三位置的所述间隔层的厚度减少第六距离以形成第三孔结构;以及
S80、制备电极器件以及钝化层于所述间隔层上,以形成所述阵列基板。
在本申请的一种实施例中,所述S20中,所述第一位置的所述光阻层的厚度大于所述第二位置的所述光阻层的厚度。
在本申请的一种实施例中,所述S30中还包括去除所述第一位置和所述第二位置的部分所述光阻层,所述S50中还包括去除所述第一位置的部分所述光阻层。
在本申请的一种实施例中,所述间隔层包括依次制备于所述基底上的阻挡层、缓冲层、第一绝缘层、第二绝缘层以及栅绝缘层,所述电晶体器件包括制备于所述缓冲层上的有源层、制备于所述第一绝缘层上的第一栅极以及制备于所述第二绝缘层上的第二栅极,且所述栅绝缘层覆盖所述第二栅极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的