[发明专利]负极材料及其制备方法、二次电池在审
申请号: | 202010374125.6 | 申请日: | 2020-05-06 |
公开(公告)号: | CN111668474A | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 朱成奔;万远鑫;孔令涌;任望保;钟泽钦 | 申请(专利权)人: | 深圳市德方纳米科技股份有限公司 |
主分类号: | H01M4/38 | 分类号: | H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 黄志云 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 负极 材料 及其 制备 方法 二次 电池 | ||
1.一种负极材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供石墨、硅粉;
将所述石墨与所述硅粉进行混合处理,在所述石墨表面包覆所述硅粉,得到硅/石墨复合材料;
对所述硅/石墨复合材料进行碳包覆处理,在所述硅/石墨复合材料表面制备碳包覆层,得到碳包覆硅/石墨复合材料;
在所述碳包覆硅/石墨复合材料的表面原位生长长径比大于3000的碳纳米管,得到所述负极材料。
2.根据权利要求1所述负极材料的制备方法,其特征在于,在所述碳包覆硅/石墨复合材料的表面原位生长长径比大于3000的碳纳米管的方法包括:将所述碳包覆硅/石墨复合材料与催化剂进行混合处理后,在保护气氛下以1℃/min-20℃/min的速率升温至200℃-1800℃保温0.5h-8h,然后加入碳源沉积1h-20h后,通入惰性气体保持1h-10h。
3.根据权利要求2所述负极材料的制备方法,其特征在于,所述碳包覆硅/石墨复合材料与所述催化剂的质量比为1000:(1-10);和/或
所述碳源选自甲烷、乙炔、乙烯、丙烯、苯中的至少一种;和/或
所述催化剂选自铁单质、钴单质、镍单质中的至少一种;和/或
所述催化剂的中值粒径≤300nm。
4.根据权利要求1所述负极材料的制备方法,其特征在于,所述石墨选自天然石墨、人造石墨、中间相碳微球中的至少一种;和/或
所述石墨的平均粒径为5μm-30μm;和/或
所述硅粉的中值粒径≤300nm。
5.根据权利要求1所述负极材料的制备方法,其特征在于,将所述石墨与所述硅粉进行混合处理的步骤中,所述石墨与所述硅粉的质量比为100:(1-10);和/或
将所述石墨与所述硅粉进行混合处理的步骤中添加有表面活性剂。
6.根据权利要求5所述负极材料的制备方法,其特征在于,所述石墨、所述硅粉、所述表面活性剂的质量比为100:(1-10):(1-5);和/或
所述表面活性剂选自聚乙烯吡咯烷酮、十二烷基苯磺酸钠、聚乙二醇中的至少一种。
7.根据权利要求1-6中任意一项所述负极材料的制备方法,其特征在于,对所述硅/石墨复合材料进行碳包覆处理的步骤中,所述碳包覆处理的碳源选自沥青、酚醛树脂、葡萄糖、柠檬酸、淀粉中的至少一种;和/或
对所述硅/石墨复合材料进行碳包覆处理的步骤中,所述碳包覆处理的温度为600℃-1200℃;和/或
对所述硅/石墨复合材料进行碳包覆处理的步骤中,所述碳包覆处理的时间为0.5h-6h;和/或
对所述硅/石墨复合材料进行碳包覆处理的步骤中,所述碳包覆处理的升温速率为1℃/min-20℃/min;和/或
对所述硅/石墨复合材料进行碳包覆处理的步骤中,所述碳包覆处理的碳包覆量为0.5%-10%。
8.一种负极材料,其特征在于,所述负极材料是以石墨为核结构,沿着远离所述核结构的方向,所述核结构的表面依次设置有硅层、碳包覆层和碳纳米管,所述碳纳米管的长径比大于3000。
9.根据权利要求8所述的负极材料,其特征在于,所述石墨选自天然石墨、人造石墨、中间相碳微球中的至少一种;和/或
所述石墨的平均粒径为5μm-30μm;和/或
所述石墨与所述硅层的质量比为100:(1-10);和/或
所述碳包覆层的厚度为1nm-20nm。
10.一种二次电池,其特征在于,包括权利要求1-7任意一项所述负极材料的制备方法制备得到的负极材料或权利要求8-9所述的负极材料。
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