[发明专利]阵列基板及母板在审
申请号: | 202010375472.0 | 申请日: | 2020-05-07 |
公开(公告)号: | CN111564452A | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 赵玲 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 吕姝娟 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 母板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
基底,所述基底包括有显示功能区和冗余区,所述冗余区设置在所述显示功能区的外周;
第一金属层,所述第一金属层至少设置在所述基底的对应于所述显示功能区的部分上;
绝缘层,所述绝缘层覆盖在所述第一金属层上,所述绝缘层覆盖所述显示功能区和所述冗余区;
有源层,所述有源层设置在所述绝缘层的对应于所述显示功能区和所述冗余区的部分上;以及
第二金属层,所述第二金属层至少设置在所述有源层的对应于所述显示功能区的部分上。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一金属层设置在所述基底的对应于所述显示功能区和所述冗余区的部分上,所述第二金属层设置在所述有源层的对应于所述显示功能区和所述冗余区的部分上。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述有源层包括位于所述显示功能区的第一部分和位于所述冗余区的第二部分,所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括平坦层,所述平坦层设置在所述第二金属层的对应于所述显示功能区和所述冗余区的部分上。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一金属层的材料包括铜或铝。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述显示功能区上设置有栅极驱动电路和像素驱动电路。
7.一种母板,其特征在于,包括:
基底,所述基底包括多个显示功能区和冗余区,所述显示功能区之间间隔设置,所述冗余区设置在所述显示功能区的外周;
第一金属层,所述第一金属层至少设置在所述基底的对应于所述显示功能区的部分上;
绝缘层,所述绝缘层覆盖在所述第一金属层上,所述绝缘层覆盖所述显示功能区和所述冗余区;
有源层,所述有源层设置在所述绝缘层的对应于所述显示功能区和所述冗余区的部分上;以及
第二金属层,所述第二金属层至少设置在所述有源层的对应于所述显示功能区的部分上。
8.根据权利要求7所述的母板,其特征在于,所述冗余区包括沿着第一方向排列设置的第一部分和沿着第二方向排列设置的第二部分,所述第一部分和所述第二部分交叉设置形成所述显示功能区。
9.根据权利要求7所述的母板,其特征在于,所述第一金属层设置在所述基底的对应于所述显示功能区和所述冗余区的部分上,所述第二金属层设置在所述有源层的对应于所述显示功能区和所述冗余区的部分上。
10.根据权利要求7或9所述的母板,其特征在于,所述有源层包括位于所述显示功能区的第一部分和位于所述冗余区的第二部分,所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的