[发明专利]阵列基板及母板在审
申请号: | 202010375472.0 | 申请日: | 2020-05-07 |
公开(公告)号: | CN111564452A | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 赵玲 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 吕姝娟 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 母板 | ||
本申请提供一种阵列基板及母板,在阵列基板中,依次设置有基底、第一金属层、绝缘层、有源层和第二金属层,绝缘层覆盖所述显示功能区和所述冗余区;所述有源层设置在所述显示功能区和所述冗余区。本申请通过在冗余区上保留有源层,利用有源层的压应力平衡第一金属层或/第二金属层的翘应力,进而避免基底发生翘曲。
技术领域
本申请涉及一种显示技术,特别涉及一种阵列基板及母板。
背景技术
随着由于8K显示面板对充电率需求的增加,因此通常通过增加金属导线(如Cu)的厚度来实现低电阻,以提高充电率。但是,由于金属导线的厚度增加,增加了金属导线的翘应力,进而带动金属导线其下的基板发生翘曲。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板及母板,以解决现有技术中阵列基板因金属导线增厚,导致基板翘曲的技术问题。
本申请实施例提供一种阵列基板,其包括:
基底,所述基底包括有显示功能区和冗余区,所述冗余区设置在所述显示功能区的外周;
第一金属层,所述第一金属层至少设置在所述基底的对应于所述显示功能区的部分上;
绝缘层,所述绝缘层覆盖在所述第一金属层上,所述绝缘层覆盖所述显示功能区和所述冗余区;
有源层,所述有源层设置在所述绝缘层的对应于所述显示功能区和所述冗余区的部分上;以及
第二金属层,所述第二金属层至少设置在所述有源层的对应于所述所述显示功能区的部分上。
在本申请实施例所述的阵列基板中,所述第一金属层设置在所述基底的对应于所述显示功能区和所述冗余区的部分上,所述第二金属层设置在所述有源层的对应于所述显示功能区和所述冗余区的部分上。
在本申请实施例所述的阵列基板中,所述有源层包括位于所述显示功能区的第一部分和位于所述冗余区的第二部分,所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。
在本申请实施例所述的阵列基板中,所述阵列基板还包括平坦层,所述平坦层设置在所述第二金属层的对应于上,且覆盖所述显示功能区和所述冗余区的部分上。
在本申请实施例所述的阵列基板中,所述第一金属层的材料包括铜或铝。
在本申请实施例所述的阵列基板中,所述显示功能区上设置有栅极驱动电路和像素驱动电路。
本申请还涉及一种母板,其包括:
基底,所述基底包括多个显示功能区和冗余区,所述显示功能区之间间隔设置,所述冗余区设置在所述显示功能区的外周;
第一金属层,所述第一金属层至少设置在所述基底的对应于所述显示功能区的部分上;
绝缘层,所述绝缘层覆盖在所述第一金属层上,所述绝缘层覆盖所述显示功能区和所述冗余区;
有源层,所述有源层设置在所述绝缘层的对应于所述显示功能区和所述冗余区的部分上;以及
第二金属层,所述第二金属层至少设置在所述有源层的对应于所述显示功能区的部分上。
在本申请实施例所述的母板中,所述冗余区包括沿着第一方向排列设置的第一部分和沿着第二方向排列设置的第二部分,所述第一部分和所述第二部分交叉设置形成所述显示功能区。
在本申请实施例所述的母板中,所述第一金属层设置在所述基底的对应于所述显示功能区和所述冗余区的部分上,所述第二金属层设置在所述有源层的对应于所述显示功能区和所述冗余区的部分上。
在本申请实施例所述的母板中,所述有源层包括位于所述显示功能区的第一部分和位于所述冗余区的第二部分,所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的