[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：在基板上形成栅金属层、覆盖栅金属层的栅极绝缘层以及位于栅极绝缘层上的半导体层；

S2：形成位于半导体层上的信号电极层，信号电极层覆盖在部分半导体层上，半导体层具有暴露于信号电极层外的边缘部分；

S3：在步骤S2的基础上依序沉积无机绝缘层和光阻，通过曝光刻蚀形成位于栅金属层上的第一开孔以及与第一开孔连通的第二开孔，第二开孔暴露出半导体层的边缘部分；

S4：刻蚀掉暴露出的信号电极层下层露出的半导体层的边缘部分；

S5：剥离光阻，形成位于第一开孔和第二开孔内的透明电极层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，步骤S2形成的所述边缘部分的宽度至少为0.5微米。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，步骤S3中，在刻蚀形成第一开孔时，栅极绝缘层在半导体层的下方形成过刻区域。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，边缘部分的宽度不小于过刻区域的宽度。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，部分半导体层层叠在栅金属层上方。

6.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，步骤S4是采用草酸对所述边缘部分进行刻蚀。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述半导体层的制作材料为IGZO。

8.一种阵列基板，由权利要求1-7任一所述的阵列基板的制造方法制造，其特征在于，包括：

基板以及位于基板上的栅金属层；

栅极绝缘层，覆盖栅金属层；

设置在栅金属层上的第一开孔；

半导体层，位于栅极绝缘层上且与栅金属层部分重叠；

信号电极层，位于半导体层上且与栅金属层部分重叠；

无机绝缘层，覆盖部分信号电极层和栅极绝缘层，所述无机绝缘层在第一开孔上方以及信号电极层上方设有第二开孔；

透明电极层，位于第一开孔和第二开孔内且覆盖部分信号电极层和部分无机绝缘层。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述信号电极层通过位于第二开孔内的像素电极与栅金属层接触。

10.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层为IGZO。