[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

说明书

本发明提出一种阵列基板及其制造方法，涉及显示面板领域，阵列基板制造方法包括：S1：在基板上形成栅金属层、覆盖栅金属层的栅极绝缘层以及位于栅极绝缘层上的半导体层；S2：形成位于半导体层上的信号电极层，信号电极层覆盖在部分半导体层上，半导体层具有暴露于信号电极层外的边缘部分；S3：在步骤S2的基础上依序沉积无机绝缘层和光阻，通过曝光刻蚀形成位于栅金属层上的第一开孔以及与第一开孔连通的第二开孔，第二开孔暴露出半导体层的边缘部分；S4：刻蚀掉暴露出的信号电极层下层露出的半导体层的边缘部分；S5：剥离光阻，形成位于第一开孔和第二开孔内的透明电极层。

技术领域

本发明属于显示面板领域，具体涉及一种阵列基板及其制造方法。

技术背景

在液晶显示技术领域，阵列基板的制造是关键的一环。现有技术中，对于阵列基板上的端子区，采用信号电极层(SD)的一部分与栅金属层(Gate)叠加的设计，然后在无机绝缘层(PAS)内开孔，用透明电极层将信号电极层和栅金属层联通起来。这一设计相较于常规端子区膜层设计占用面积小，能缩小面板边框，提高开口率，但是信号电极层下层的栅极绝缘层(GI)会出现过度刻蚀的区域，过度刻蚀的存在容易导致后续膜层在制造过程中断裂。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及其制造方法，通过设计并刻蚀掉信号电极层下层露出的半导体层的边缘部分以消除栅极绝缘层过刻的影响。

本发明的技术方案如下：

本发明公开了一种阵列基板的制造方法，包括以下步骤：

S1：在基板上形成栅金属层、覆盖栅金属层的栅极绝缘层以及位于栅极绝缘层上的半导体层；

S2：形成位于半导体层上的信号电极层，信号电极层覆盖在部分半导体层上，半导体层具有暴露于信号电极层外的边缘部分；

S3：在步骤S2的基础上依序沉积无机绝缘层和光阻，通过曝光刻蚀形成位于栅金属层上的第一开孔以及与第一开孔连通的第二开孔，第二开孔暴露出半导体层的边缘部分；

S4：刻蚀掉暴露出的信号电极层下层露出的半导体层的边缘部分；

S5：剥离光阻，形成位于第一开孔和第二开孔内的透明电极层。

优选地，步骤S2形成的所述边缘部分的宽度至少为0.5微米。

优选地，步骤S3中，在刻蚀形成第一开孔时，栅极绝缘层在半导体层的下方形成过刻区域。4、根据权利要求3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，边缘部分的宽度不小于过刻区域的宽度。

优选地，部分半导体层层叠在栅金属层上方。

优选地，步骤S4是采用草酸对所述边缘部分进行刻蚀。

优选地，所述半导体层的制作材料为IGZO。

本发明还公开了一种阵列基板，由上述的阵列基板的制造方法制造，包括：基板以及位于基板上的栅金属层；栅极绝缘层，覆盖栅金属层；设置在栅金属层上的第一开孔；半导体层，位于栅极绝缘层上且与栅金属层部分重叠；信号电极层，位于半导体层上且与栅金属层部分重叠；无机绝缘层，覆盖部分信号电极层和栅极绝缘层，所述无机绝缘层在第一开孔上方以及信号电极层上方设有第二开孔；透明电极层，位于第一开孔和第二开孔内且覆盖部分信号电极层和部分无机绝缘层。

优选地，所述信号电极层通过位于第二开孔内的像素电极与栅金属层接触。

优选地，所述半导体层为IGZO。

本发明能够带来以下至少一项有益效果：