[发明专利]晶圆及其制备方法和定位校准方法在审
申请号: | 202010375948.0 | 申请日: | 2020-05-07 |
公开(公告)号: | CN111554661A | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 毕迪 | 申请(专利权)人: | 上海果纳半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L29/06;H01L21/68 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 201306 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 及其 制备 方法 定位 校准 | ||
1.一种晶圆,其特征在于,包括晶圆本体,所述晶圆本体的表面设置有定位校准部,所述定位校准部浮凸或者凹陷设置于所述晶圆本体的表面。
2.根据权利要求1所述的晶圆,其特征在于,所述定位校准部浮凸设置于所述晶圆本体的表面,所述定位校准部形成为柱状且垂直于所述晶圆本体的表面。
3.根据权利要求2所述的晶圆,其特征在于,所述定位校准部形成为多边形棱柱。
4.根据权利要求2所述的晶圆,其特征在于,所述定位校准部的横截面形成为扇形,所述定位校准部的边缘与所述晶圆本体的边缘相平齐。
5.根据权利要求1所述的晶圆,其特征在于,所述定位校准部设在所述晶圆本体的边缘处。
6.一种晶圆的制备方法,其特征在于,包括:
提供待处理晶圆;
处理所述待处理晶圆,在所述待处理晶圆表面形成定位校准部,所述定位校准部浮凸或凹陷于所述待处理晶圆的表面。
7.根据权利要求6所述的晶圆的制备方法,其特征在于,处理所述待处理晶圆时,包括以下步骤中:
在所述待处理晶圆的表面形成定位薄膜层,对所述定位薄膜层进行图形化处理,去除部分所述定位薄膜层以在所述待处理晶圆的表面形成所述定位校准部。
8.一种晶圆的定位校准方法,其特征在于,包括:
将晶圆置于承载台上;
图像采集装置采集所述晶圆的实际位置图像;
将所述实际位置图像与所述晶圆位于基准位置的基准图像进行比较分析,获取所述实际位置图像和所述基准图像的偏差数据;
根据所述偏差数据调节所述晶圆的传送装置的取片位置。
9.根据权利要求8所述的晶圆的定位校准方法,其特征在于,在将所述实际位置图像与所述晶圆位于基准位置的基准图像进行比较分析,获取所述实际位置图像和所述基准图像的偏差数据步骤中,将所述实际位置图像与所述基准图像对比分析,以获取晶圆的外轮廓和/或定位校准部的偏差数据,根据所述偏差数据调节所述晶圆的传送装置。
10.根据权利要求8所述的晶圆的定位校准方法,其特征在于,所述图像采集装置为多个,多个所述图像采集装置设在所述承载台的不同位置处以获取所述晶圆的不同角度的实际位置图像和基准图像。
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