[发明专利]一种半导体存储器及其制作方法、电子设备

说明书

本发明提供了一种半导体存储器及其制作方法、电子设备，包括：衬底；位于衬底一侧表面且交替隔离排列的多个控制栅堆叠结构和多个阵列共源隔断层；位于阵列共源隔断层背离衬底一侧的阵列共源连接层；覆盖阵列共源连接层背离衬底一侧、且填充至相邻阵列共源连接层之间凹槽处的绝缘填充层，绝缘填充层包括对应阵列共源连接层的通孔；位于绝缘填充层背离衬底一侧、且通过通孔连接相邻两个阵列共源连接层的桥连线。在将相邻的两个阵列共源连接层电连接时，仅仅在绝缘填充层对应阵列共源连接层处形成通孔即可。本发明无需对绝缘填充层相应控制栅堆叠结构处进行大面积挖孔等处理，避免制作半导体存储器时对控制栅堆叠结构损坏的情况。

技术领域

本发明涉及半导体存储器技术领域，更为具体地说，涉及一种半导体存储器及其制作方法、电子设备。

背景技术

NAND闪存是一种功耗低、质量轻和性能佳的非易失存储产品，在电子产品中得到了广泛的应用。目前，平面结构的NAND闪存已近实际扩展的极限，为了进一步的提高存储容量，降低每比特的存储成本，提出了3D结构的3D NAND存储器。现有制作3D NAND存储器时，经常出现制作过程中损坏栅堆叠结构的情况。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种半导体存储器及其制作方法、电子设备，有效解决现有技术存在的技术问题，避免制作半导体存储器时对控制栅堆叠结构损坏的情况。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种半导体存储器，包括：

衬底；

位于所述衬底一侧表面且交替隔离排列的多个控制栅堆叠结构和多个阵列共源隔断层；

位于所述阵列共源隔断层背离所述衬底一侧的阵列共源连接层；

覆盖所述阵列共源连接层背离所述衬底一侧、且填充至相邻所述阵列共源连接层之间凹槽处的绝缘填充层，所述绝缘填充层包括对应所述阵列共源连接层的通孔；

以及，位于所述绝缘填充层背离所述衬底一侧、且通过所述通孔连接相邻两个所述阵列共源连接层的桥连线。

可选的，所述绝缘填充层对应所述桥连线处包括沟槽，所述桥连线位于相应的沟槽内。

可选的，所述桥连线与所述阵列共源连接层的材质相同。

可选的，所述桥连线与所述阵列共源连接层的材质为钨。

可选的，所述半导体存储器为3D NAND存储器。

相应的，本发明还提供了一种半导体存储器的制作方法，包括：

提供一基底，所述基底包括衬底；位于所述衬底一侧表面且交替隔离排列的多个控制栅堆叠结构和多个阵列共源隔断层；位于所述阵列共源隔断层背离所述衬底一侧的阵列共源连接层；覆盖所述阵列共源连接层背离所述衬底一侧、且填充至相邻所述阵列共源连接层之间凹槽处的绝缘填充层；

在所述绝缘填充层上形成对应所述阵列共源连接层的通孔；

在所述绝缘填充层背离所述衬底一侧形成桥连线，所述桥连线通过所述通孔连接相邻两个所述阵列共源连接层的桥连线。

可选的，在形成所述通孔后且形成所述桥连线前，还包括：

在相邻两个所述阵列共源连接层各自对应通孔之间形成沟槽，其中，所述桥连线位于所述沟槽内。

可选的，所述桥连线与所述阵列共源连接层的材质相同。

可选的，所述桥连线与所述阵列共源连接层的材质为钨。

相应的，本发明还提供了一种电子设备，所述电子设备包括上述的半导体存储器。