[发明专利]封装壳体及其处理方法和制造方法、激光器、存储介质

说明书

本申请提供一种封装壳体及其处理方法和制造方法、激光器、存储介质。封装壳体的处理方法，应用于激光器，所述方法包括：获取封装壳体的处理指令，所述处理指令中包括所述封装壳体上待去除部位的信息；根据所述待去除部位的信息确定用于去除所述待去除部位的切割策略；按照所述切割策略对所述封装壳体进行激光切割。该处理方法能够实现稳定性好、精度高、产品一致性好且无污染的封装壳体处理。

技术领域

本申请涉及机械加工技术领域，具体而言，涉及一种封装壳体及其处理方法和制造方法、激光器、存储介质。

背景技术

封装壳体广泛应用于半导体芯片的封装、航天航空、微波通信、电子元器件等各种场景中。随着器件功能多样化，集成化，封装壳体上的不同部位的功能也不一样，此时就需要对封装壳体上的不同部位进行处理，比如在封装壳体上某个位置打出一个固定形状的孔。

传统工艺通过局部酸蚀或者局部抛光打磨来实现封装壳体上的差异化。但是局部打磨抛光不能较好地实现各种形状，分界线也不够清晰；局部酸蚀需要对待处理部位先用抗腐蚀防电镀保护剂保护、处理完还要去除保护剂、不易实现复杂形状的处理、污染环境、工艺很难控制。

可见，现有的封装壳体的处理方式稳定性差，精度不高，导致产品一致性也较差，并且还有污染。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种封装壳体及处理方法和制造方法、激光器、存储介质，用以实现稳定性好、精度高、产品一致性好且无污染的封装壳体处理。

第一方面，本申请实施例提供一种封装壳体的处理方法，应用于激光器，所述方法包括：获取封装壳体的处理指令，所述处理指令中包括所述封装壳体上待去除部位的信息；根据所述待去除部位的信息确定用于去除所述待去除部位的切割策略；按照所述切割策略对所述封装壳体进行激光切割。

在本申请实施例中，通过激光器来对封装壳体进行处理，当激光器接收到封装壳体的处理指令时，根据待去除部位(比如需要进行打孔的部位)的信息确定对应的切割策略，然后按照切割策略对封装壳体进行切割，实现待去除部位的去除。通过激光切割的方式对封装壳体进行处理，一方面，激光切割是可控的，进而可根据处理指令中的相关信息灵活且稳定地对待去除部位进行处理；另一方面，激光器是一种高精度的仪器，无污染，且能够保证处理结果的精度，最终得到的封装壳体的产品一致性也较好。因此，该处理方法能够实现灵活性高、稳定性好、精度高、产品一致性好且无污染的封装壳体处理。

作为一种可能的实现方式，所述待去除部位的信息包括：所述待去除部位的形状和所述待去除部位在所述封装壳体上的位置。

在本申请实施例中，当待去除部位的信息包括待去除部位的形状和待去除部位在封装壳体上的位置时，激光器可以确定对应的切割策略，以实现去除封装壳体上的特定位置处的部位，并使对应的位置处去除后具有特定的形状，实现灵活地封装壳体处理。

作为一种可能的实现方式，所述根据所述待去除部位的信息确定用于去除所述待去除部位的切割策略，包括：根据所述待去除部位在所述封装壳体上的位置确定多个切割点；根据所述待去除部位的形状确定所述多个切割点的切割顺序。

在本申请实施例中，在确定切割策略时，可以根据待去除部位的位置确定多个切割点，以及根据待去除部位的形状确定多个切割点的切割顺序，进而使激光器能够根据切割策略实现去除封装壳体上的特定位置处的部位，实现高精度且稳定的封装壳体处理。

作为一种可能的实现方式，所述待去除部位的信息还包括所述待去除部位的尺寸，在所述根据所述待去除部位的形状确定所述多个切割点的切割顺序后，所述方法包括：根据所述待去除部位的尺寸确定所述多个切割点的切割速度和/或切割功率。

在本申请实施例中，还可以根据待去除部位的尺寸确定多个切割点的切割速度和/或切割功率，实现稳定且灵活地激光切割。