[发明专利]制造碳化硅器件的方法和在处置衬底中包括激光修改区带的晶片复合体

权利要求书

1.一种制造碳化硅器件的方法，所述方法包括：

提供晶片复合体(900)，晶片复合体(900)包括处置衬底(100)、形成在处置衬底(100)的第一表面(101)上的辅助层(200)、和形成在辅助层(200)之上的碳化硅结构(320)；以及

使处置衬底(100)经受激光辐照，其中激光辐照沿着处置衬底(100)中的焦平面(105)修改晶体材料，其中焦平面(105)平行于第一主表面(101)，

其中，辅助层(200)被适配为阻止由激光辐照在处置衬底(100)中生成的微裂纹(156)的传播。

2.如前述权利要求所述的方法，进一步包括：

沿着焦平面(105)分裂晶片复合体(900)。

3.如前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，

处置衬底(100)的从处置衬底(100)的第一表面(101)延伸到焦平面(105)的部分包括单晶碳化硅。

4.如前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，

激光辐照沿着平行的激光扫描线(151)形成修改区带(155)，其中邻近的激光扫描线(151)具有中心到中心距离(d1)，并且其中焦平面(105)与辅助层(200)之间的距离(d2)在从中心到中心距离(d1)的3.2%至7.25%的范围内。

5.如前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，

辅助层(200)包括至少一个受到压缩应力的层。

6.如前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，

辅助层(200)具有高于1800℃的熔点。

7.如前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中，

辅助层(200)包括单晶碳化硅，并且其中辅助层(200)中的平均掺杂剂浓度高于处置衬底(100)的沿着第一主表面(101)的至少一个层部分中的平均掺杂剂浓度。

8.如前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中提供晶片复合体(900)包括：

在处置衬底(100)的主表面(101)和碳化硅施主衬底(300)的加工表面(301)中的至少一个上形成辅助层(200)；以及

连接处置衬底(100)和碳化硅施主衬底(300)，其中辅助层(200)被布置在处置衬底(100)和碳化硅施主衬底(300)之间。

9.如前述权利要求所述的方法，进一步包括：

在连接之后，将碳化硅施主衬底(300)的回收部分(321)与碳化硅施主衬底(300)的转移部分(322)分离开，其中转移部分(322)形成碳化硅结构(320)的至少一部分。

10.如前述权利要求所述的方法，进一步包括：

在转移部分(322)上形成外延层(324)。

11.如前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中：

处置衬底(100)包括主要部分(110)、形成在主要部分(110)之上的分离层(120)、以及在分离层(120)之上的中间层(130)，并且其中激光调节的焦平面(105)在中间层(130)中。

12.如前述权利要求所述的方法，其中：

中间层(130)是通过来自碳化硅施主衬底(300)或来自替换的施主衬底(400)的层转移而形成的。