[发明专利]制造碳化硅器件的方法和在处置衬底中包括激光修改区带的晶片复合体

说明书

公开了制造碳化硅器件的方法和在处置衬底中包括激光修改区带的晶片复合体。晶片复合体(900)包括处置衬底(100)、形成在处置衬底(100)的第一主表面(101)上的辅助层(200)、以及形成在辅助层(200)之上的碳化硅结构(320)。使处置衬底(100)经受激光辐照，其中，激光辐照沿着处置衬底(100)中的焦平面(105)修改晶体材料。焦平面(105)与第一主表面(101)平行。辅助层(200)被适配为阻止激光辐照在处置衬底(100)中可能生成的微裂纹(156)的传播。

技术领域

本公开的示例涉及一种制造碳化硅器件的方法，其中该方法包括对处置衬底进行激光辐照。进一步的示例涉及在处置衬底的分离区带中具有修改区带的晶片复合体。

背景技术

半导体晶片的制备典型地包括通过竖向区带熔化或通过从填充有熔化的半导体材料的坩埚提拉籽晶晶体棒来形成晶锭。例如通过锯切对晶锭进行切片。其它处理通过在可重复使用的处置晶片的顶部上或靠近其顶部形成薄的释放层、在释放层上方外延生长半导体层、并且然后沿着释放层从处置晶片机械地分离外延生长的半导体层来获得外延的半导体晶片。

存在针对以经济的方式提供用于碳化硅器件的衬底的改进的方法的需要。

发明内容

本公开的实施例涉及一种制造碳化硅器件的方法。该方法包括提供晶片复合体，该晶片复合体包括处置衬底、辅助层和碳化硅结构。辅助层形成在处置衬底的第一主表面上。碳化硅结构形成在辅助层上。处置衬底经受激光辐照。激光辐照在处置衬底中沿着焦平面修改晶体材料。焦平面平行于主表面。辅助层被适配为阻止激光辐照在处置衬底中生成的微裂纹的传播。

本公开的另一个实施例涉及一种晶片复合体，其包括处置衬底、辅助层和碳化硅结构。处置衬底包括嵌入在晶体碳化硅中的修改区带。修改区带被布置在分离区带中，其中分离区带平行于处置衬底的第一主表面延伸。辅助层被形成在处置衬底的第一表面上。在处置衬底中，微裂纹从修改区带延伸到辅助层并且在辅助层处终止。碳化硅结构被形成在辅助层上。

本领域技术人员在阅读以下的详细描述并且查看随附附图时将认识到附加的特征和优点。

附图说明

随附附图被包括以提供对实施例的进一步理解，并且随附附图被合并到本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图图示晶片复合体的实施例和制造碳化硅器件的方法的实施例，并且与描述一起用于解释实施例的原理。在以下的详细描述和权利要求中描述了进一步的实施例。

图1A至图1C示出用于图示根据实施例的碳化硅器件制造方法的晶片复合体的示意性竖向横截面视图，该方法包括在靠近处置衬底的第一主表面的焦平面中的激光处理。

图2A示出用于讨论实施例的效果的具有通过激光辐照形成的修改区带的碳化硅衬底的一部分的示意性竖向横截面视图。

图2B图示用于讨论实施例的效果的在处置衬底中具有辅助层并且具有修改区带的晶片复合体的一部分的示意性竖向横截面视图。

图3A至图3F示出施主衬底、处置衬底和晶片复合体的示意性竖向横截面视图，以用于图示根据使用用于接合的辅助层的实施例的碳化硅器件制造方法。

图4A至图4E示出施主衬底、处置衬底和晶片复合体的示意性竖向横截面视图，以用于图示根据使用中间层的实施例的碳化硅器件制造方法。

图5是用于讨论图4A至图4E的实施例的效果的晶片复合体的一部分的示意性竖向横截面视图。

具体实施方式