[发明专利]表面声波元件、滤波电路以及电子零件有效

专利信息
申请号: 202010381485.9 申请日: 2020-05-08
公开(公告)号: CN111953309B 公开(公告)日: 2023-08-18
发明(设计)人: 松冈直人 申请(专利权)人: NDK声表滤波器股份有限公司
主分类号: H03H3/08 分类号: H03H3/08;H03H9/145;H03H9/64
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 杨文娟;臧建明
地址: 日本北海道函馆市铃兰丘*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 表面 声波 元件 滤波 电路 以及 电子零件
【权利要求书】:

1.一种表面声波元件,其特征在于,包括:

压电材料层,设置在支撑基板上;

一对汇流条,形成在所述压电材料层的上表面;

多个电极指,相互呈梳齿状地从所述汇流条各者向相向的汇流条伸出;以及

反射器,配置在所述多个电极指的形成区域的两侧,

所述压电材料层的厚度为根据所述多个电极指的配置间隔所规定的声波波长的1倍~2.5倍的范围内,

由所述电极指在所述压电材料层激发的弹性波的主模式为泄漏表面声波,

在所述泄漏表面声波中,以传播损耗变成最小的传播损耗最小频率、与因和所述泄漏表面声波一同被激发的慢横波而形成的板波杂散的频率一致的方式,设定设计变数,

在所述压电材料层的下层传播的弹性波的最慢的体波的传播速度为所述泄漏表面声波的速度的1.05倍以上。

2.根据权利要求1所述的表面声波元件,其特征在于,

所述设计变数选自包含压电材料层的厚度、所述电极指的厚度、作为所述表面声波元件的电极指宽度在电极指的配置间隔中所占的比例的电极占有率的设计变数群组。

3.根据权利要求1所述的表面声波元件,其特征在于,

所述支撑基板包括选自包含硅、碳化硅、金刚石、蓝宝石、石英、氧化铝、尖晶石的支撑基板材料群组中的支撑基板材料。

4.根据权利要求1所述的表面声波元件,其特征在于,

在所述支撑基板与所述压电材料层之间形成有高音速层,所述高音速层包含电介质或金属材料,具有所述声波波长的1倍以上的厚度。

5.根据权利要求1所述的表面声波元件,其特征在于,

当在所述支撑基板的上表面直接形成所述压电材料层时,所述支撑基板的线膨胀系数比所述压电材料层中的所述泄漏表面声波的传播方向的线膨胀系数小。

6.根据权利要求1所述的表面声波元件,其特征在于,

所述压电材料层包含LiTaO3,其切割角在欧拉角表述中为(0°±10°、120°~144°、0°±10°)的范围内。

7.根据权利要求6所述的表面声波元件,其特征在于,

所述电极指包含含有铝的电极材料,具有所述声波波长的9%以上的膜厚。

8.根据权利要求7所述的表面声波元件,其特征在于,

所述压电材料层的厚度为所述声波波长的1.2倍~1.8倍的范围内。

9.根据权利要求1所述的表面声波元件,其特征在于,

所述压电材料层包含LiNbO3,其切割角在欧拉角表述中为(0°±10°、129°~156°、0°±10°)的范围内、或(0°±10°、-5°~25°、0°±10°)的范围内。

10.根据权利要求1所述的表面声波元件,其特征在于,

在所述多个电极指及所述反射器的上表面侧装载有一层或多层的电介质膜。

11.根据权利要求10所述的表面声波元件,其特征在于,

所述电介质膜中的至少一层包括选自包含氧化硅、氮氧化硅、氮化硅的电介质材料群组中的电介质。

12.根据权利要求1所述的表面声波元件,其特征在于,

横波体波在所述支撑基板中传播时的音速比由所述压电材料层中的慢横波所形成的二次的板波的音速、或由快横波所形成的一次的板波的音速中的慢的一方慢。

13.根据权利要求10所述的表面声波元件,其特征在于,

所述压电材料层包含LiTaO3,其切割角在欧拉角表述中为(0°±10°、120°~144°、0°±10°)的范围内,所述支撑基板为石英。

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