[发明专利]基板冷却装置及方法在审
申请号: | 202010382156.6 | 申请日: | 2020-05-08 |
公开(公告)号: | CN112309896A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 金钟勋;金志训 | 申请(专利权)人: | PSK控股公司;塞米吉尔公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人: | 王晖;吴莎 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 冷却 装置 方法 | ||
1.一种基板冷却装置,涉及一种冷却基板的装置,其特征在于,包括:
卡盘,供放置基板;
冷却单元,用于冷却所述卡盘,
所述冷却单元包括:
散热板,在上面放置所述卡盘,并散发所述卡盘的热。
2.根据权利要求1所述的基板冷却装置,其特征在于,
在所述散热板的上面形成有向下凹蚀的沟槽。
3.根据权利要求2所述的基板冷却装置,其特征在于,
对于所述沟槽,在俯视时呈放射状。
4.根据权利要求1所述的基板冷却装置,其特征在于,
所述冷却单元还包括:
内盖,在底面的上面支撑所述散热板,并以上下方向移动;
冷却部件,提供至所述底面壁的下面,冷却所述内盖。
5.根据权利要求4所述的基板冷却装置,其特征在于,
所述冷却单元还包括:
外盖,在内部形成供容纳所述内盖的空间,
所述冷却部件被提供至所述外盖的底面壁。
6.根据权利要求5所述的基板冷却装置,其特征在于,
所述外盖的所述底面壁还包括:
第一区域;及
第二区域,与所述第一区域不同的区域,
所述冷却单元包括:
弹性部,在所述内盖的所述底面壁与所述外盖的所述底面壁分隔的状态下,支撑所述第一区域,以使处于比所述第二区域高的位置,并在所述第一区域对上下方向施加弹力;
温度测定部,按区域测定所述卡盘的温度;
控制部,根据在所述温度测定部中所测定的与所述卡盘的所述第一区域对应的区域及与所述卡盘的所述第二区域对应的区域的温度,控制所述弹性部,以调节所述内盖的所述底面壁与所述外盖的所述底面壁分隔状态下的所述第一区域的高度。
7.根据权利要求6所述的基板冷却装置,其特征在于,
所述弹性部包括:
气弹簧,支撑所述第一区域;
空气调节部件,将空气供应至所述气弹簧及排出空气,
所述控制部通过控制所述空气调节部件而调节容纳至所述气弹簧的空气的量,从而,控制所述第一区域的高度。
8.一种基板冷却方法,涉及一种利用权利要求6所述的基板冷却装置而冷却基板的方法,其特征在于,
包括如下步骤:
安装基板,在以所述内盖与所述外盖的所述底面壁分隔的方式进行上升的状态下,将基板安装至所述卡盘;
测定第一温度,之后,按区域测定所述卡盘的温度;
调节高度,之后,根据在所述温度测定步骤中测定的与所述卡盘的所述第一区域对应的区域的温度及与所述卡盘的所述第二区域对应的区域的温度而调节所述第一区域的高度;
执行下降,之后,使所述内盖下降直至所述内盖的所述底面壁与所述第一区域及所述第二区域接触;
测定第二温度,之后,在所述内盖的底面壁与所述第一区域及所述第二区域接触的状态下,按所述卡盘的区域测定温度;
执行上升,之后,在所述第二温度测定步骤中测定的与所述卡盘的所述第一区域对应的区域及与所述卡盘的所述第二区域对应的区域的温度下降至一定温度的情况下,上升所述内盖。
9.根据权利要求8所述的基板冷却方法,其特征在于,
所述弹性部包括:
气弹簧,支撑所述第一区域;
空气调节部件,将空气供应至所述气弹簧及排出空气,
在所述高度调节步骤中,所述第一区域的高度利用所述空气调节部件而调节容纳至所述气弹簧的空气的量而调节。
10.根据权利要求8所述的基板冷却方法,其特征在于,
在所述高度调节步骤中,对于所述第一区域的高度,与所述卡盘的所述第一区域对应的区域及与所述卡盘的所述第二区域对应的区域之间温度差越高而调节得更高。
11.根据权利要求10所述的基板冷却方法,其特征在于,
在所述第二温度测定步骤及所述上升步骤之间还包括如下步骤:
维持高度,控制所述弹性部,以使在所述内盖的所述底面壁与所述外盖的所述底面壁分隔的状态下,所述第一区域的高度与所述第二区域的高度相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造