[发明专利]基板冷却装置及方法在审
申请号: | 202010382156.6 | 申请日: | 2020-05-08 |
公开(公告)号: | CN112309896A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 金钟勋;金志训 | 申请(专利权)人: | PSK控股公司;塞米吉尔公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人: | 王晖;吴莎 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 冷却 装置 方法 | ||
本发明提供一种冷却基板的基板冷却装置。本发明的实施例的基板冷却装置包括:卡盘,供放置基板;冷却单元,用于冷却所述卡盘,所述冷却单元包括:散热板,在上面放置所述卡盘,并散发所述卡盘的热。
技术领域
本发明涉及一种冷却基板的基板冷却装置及方法。
背景技术
半导体集成电路一般为非常小且薄的硅片,但由各种电子零件构成,包含光刻工艺、蚀刻工艺、沉积工艺等而执行各种制造工艺,直至出现一个半导体芯片。
半导体后续工艺中的一个回流焊(Reflow)工艺是指代替起到传输晶片(Wafer)的电信号的作用的金属线,而是将较小的突起的凸块(Bump)形成于晶片上,以减少体积并高速传输信号的工艺。因此,为了形成该凸块,需进行多个工艺。在其中一个工艺中,为了冷却晶片,而进行晶片的分阶段的温度下降,在之前工艺中,将安装有晶片的卡盘与晶片的温度降低至一定范围。
因此,防止对晶片的凸块形成环境产生重要影响的卡盘的温度因晶片的热而过度上升。并且,冷却时晶片的区域的各个温度差为晶片发生翘曲或损伤的原因。
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种基板冷却装置及方法,防止卡盘的温度因基板的热而过度上升。
并且,本发明提供一种能够均匀冷却的基板冷却装置及方法。
而且,本发明提供一种提高冷却效率的基板冷却装置及方法。
本发明要解决的技术课题并非限制于此,未言及的或其它课题通过下面的记载而使普通技术人员明确理解。
用于解决问题的技术方案
本发明提供一种冷却基板的基板冷却装置。本发明的实施例的基板冷却装置包括:卡盘(Chuck),供放置基板;冷却单元,冷却所述卡盘,所述冷却单元包括:散热板,供所述卡盘放置在上面,并散发所述卡盘的热。
在所述散热板的上面形成向下方向凹蚀的沟槽。
对于所述沟槽在俯视时呈放射状。
所述冷却单元还包括:内盖,在底面壁的上面支撑所述散热板并以上下方向移动;冷却部件,提供于所述底面壁的下面,并冷却所述内(Inner)盖。
所述冷却单元还包括:外(Outer)盖,在内部形成容纳所述内盖的空间,其中,所述冷却部件被提供至所述外盖的底面壁。
所述外盖的所述底面壁包括:第一区域及与所述第一区域不同的区域即第二区域,所述冷却单元还包括:弹性部,在所述内盖的所述底面与所述外盖的所述底面壁分隔的状态下,支撑所述第一区域,以使处于比所述第二区域高的位置,在所述第一区域对上下方向而施加弹力;温度测定部,按区域测定所述卡盘的温度;控制部,根据在所述温度测定部测定的与所述卡盘的所述第一区域对应的区域及与所述卡盘的所述第二区域对应的区域的温度,控制所述弹性部,以调整所述内盖的所述底面与所述外盖的所述底面壁分隔状态下的所述第一区域的高度。
所述弹性部包括:气弹簧,支撑所述第一区域;空气调节部件,用于将空气供应至所述气弹簧及排出空气,其中,所述控制部控制所述空气调节部件而调节容纳至所述气弹簧的空气的量,从而,控制所述第一区域的高度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造