[发明专利]一种半导体器件的检验样品的制备方法在审
| 申请号： | 202010382602.3 | 申请日： | 2020-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN111521464A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 陈强;邱燕蓉;高金德 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N23/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 检验 样品 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的检验样品的制备方法，其特征在于，包括：
提供样品晶圆，在初始位置状态下，所述样品晶圆的侧表面暴露待测半导体器件的待测截面，所述待测半导体器件在所述待测截面上具有孔洞结构；
经所述待测截面在所述孔洞结构中形成填充物以填满所述孔洞结构；以及
在所述初始位置状态下竖直切割所述样品晶圆，以获得片状检验样品，所述片状检验样品的被观察侧表面为所述待测截面。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，经所述待测截面在所述孔洞结构中形成填充物以填满所述孔洞结构进一步包括：
以所述待测截面为顶表面调整所述样品晶圆的位置状态；
在所述孔洞结构所在区域竖直沉积填充物以填满所述孔洞结构；以及
将所述样品晶圆的位置状态调整至所述初始位置状态。
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，采用电子束辅助沉积执行所述竖直沉积。
4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述填充物为金属铂Pt或金属钨W。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述提供样品晶圆进一步包括：
提供待测半导体器件所在的初始晶圆；
对应所述待测半导体器件的待测截面对所述初始晶圆进行裂片处理；以及
取裂片后的初始晶圆中的一个为所述样品晶圆。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述初始位置状态下竖直切割所述样品晶圆之前，所述制备方法还包括：
平坦化所述样品晶圆的侧表面。
7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，采用聚焦离子束执行所述平坦化。
8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用聚焦离子束执行所述竖直切割。
9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述片状检验样品的厚度小于100纳米。
10.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用透射电子显微镜观察所述片状检验样品的侧表面。
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