[发明专利]边缘抛光装置及抛光吸盘垫清洗方法在审
申请号: | 202010383653.8 | 申请日: | 2020-05-08 |
公开(公告)号: | CN111546236A | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 胡文才;权林;张宇磊 | 申请(专利权)人: | 上海新昇半导体科技有限公司 |
主分类号: | B24B55/06 | 分类号: | B24B55/06;B08B3/02;B08B1/02;B08B1/04;B24B41/06;B24B29/02 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 王宏婧 |
地址: | 201306 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 边缘 抛光 装置 吸盘 清洗 方法 | ||
本发明提供了一种边缘抛光装置及抛光吸盘垫清洗方法,所述边缘抛光装置包括:抛光吸盘、安装于抛光吸盘上的抛光吸盘垫、用于将已抛光的晶圆从抛光吸盘垫上移除的机械臂以及用于在对晶圆抛光后对抛光吸盘垫进行清洗的清洗装置,清洗装置包括:用于清洗抛光吸盘垫的清洗单元,以对抛光吸盘垫进行冲洗和刷洗;以及,与清洗单元固定连接的移动单元,移动单元用于带动清洗单元移动到抛光吸盘垫上的不同位置。本发明的技术方案能够减小抛光液在抛光吸盘垫上的积累速度,进而避免在对晶圆进行边缘抛光的过程中导致晶圆的底面产生凹坑缺陷,从而避免导致晶圆的良率下降。
技术领域
本发明涉及半导体制造设备领域,特别涉及一种边缘抛光装置及抛光吸盘垫清洗方法。
背景技术
在半导体器件制造的过程中,一般需要对晶圆边缘进行抛光,以去除前道工序在边缘的缺陷(如划伤),降低晶圆的边缘缺陷率,并将晶圆直径维持在一个稳定的范围以满足客户规格要求;同时,对于晶圆在清洗后的边缘颗粒清洗及外延制程的边缘缺陷率提供保证。
晶圆的边缘抛光一般在独立的边缘抛光装置上进行,参阅图1,图1是现有的边缘抛光装置的示意图,从图1中可看出,边缘抛光装置包括抛光吸盘11、吸盘垫圈12、吸盘垫13、抛光液入口14和抛光部15,抛光吸盘11、抛光液入口14和抛光部15均安装于一支撑单元(未图示)上。吸盘11具有一凸台(未图示),在将晶圆16放置在抛光吸盘11上之前,先将吸盘垫圈12固定在抛光吸盘11的凸台的外周,再将吸盘垫13张贴在吸盘垫圈12和抛光吸盘11的顶表面上;在将晶圆16放置在吸盘垫13上之后,晶圆16被抛光吸盘11吸附固定住,抛光液从抛光液入口14滴到晶圆16上,抛光吸盘11带动晶圆16旋转,使得晶圆16上的抛光液被甩到晶圆16的边缘,同时,抛光部15也高速旋转以对晶圆16施加压力并与晶圆16维持相对运动,从而对晶圆16的边缘进行化学机械研磨。其中,由于吸盘垫13是具有吸水性的材质,被甩到晶圆16的边缘的抛光液会流到晶圆16的底面,进入到吸盘垫13中;并且,在晶圆16放置到吸盘垫13上之前也会经过一道抛光工艺,晶圆16底面在前道工艺残留的抛光液也会被带到吸盘垫13中,随着边缘抛光的晶圆16的数量的增多,使得吸盘垫13上积累的抛光液也越来越多,那么抛光液就会对晶圆16的底面产生腐蚀。
并且,由于抛光部15在高速旋转对晶圆16施加压力时,在吸盘垫圈12和抛光吸盘11的凸台的侧壁所接触的位置处的上方(即图1中的D1处),晶圆16和吸盘垫13之间的作用力最大,如果抛光液在吸盘垫13中大量积累,会导致晶圆16的底面在此位置处的腐蚀受损最严重,造成晶圆16的底面的此位置处形成环形的凹坑缺陷,如图2中所示的晶圆16底面的一圈凹坑缺陷D2,从而导致晶圆的良率下降。
因此,需要提出一种抛光吸盘垫清洗装置及其清洗方法和边缘抛光装置,以避免在对晶圆进行边缘抛光的过程中导致晶圆的底面产生凹坑缺陷,进而避免导致晶圆的良率下降。
发明内容
本发明的目的在于提供一种边缘抛光装置及抛光吸盘垫清洗方法,能够减小抛光液在抛光吸盘垫上的积累速度,进而避免在对晶圆进行边缘抛光的过程中导致晶圆的底面产生凹坑缺陷,从而避免导致晶圆的良率下降。
为实现上述目的,本发明提供了一种边缘抛光装置,包括抛光吸盘、安装于所述抛光吸盘上的抛光吸盘垫、用于将已抛光的晶圆从所述抛光吸盘垫上移除的机械臂以及用于在对晶圆抛光后对所述抛光吸盘垫进行清洗的清洗装置,所述清洗装置包括:
清洗单元,用于清洗所述抛光吸盘垫,所述清洗单元包括喷嘴和清洗刷,所述喷嘴固定于所述清洗刷上,以对所述抛光吸盘垫进行冲洗和刷洗;以及,
移动单元,与所述清洗单元固定连接,所述移动单元用于带动所述清洗单元移动到所述抛光吸盘垫上的不同位置。
可选的,所述清洗单元与所述移动单元之间通过一中空的管路固定连接,所述管路与所述喷嘴连通,以向所述抛光吸盘垫喷射清洗液。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新昇半导体科技有限公司,未经上海新昇半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010383653.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。