[发明专利]存储元件及其制造方法

权利要求书

1.一种存储元件，其特征在于，包括：

至少一半导体层，位于介电层上方，所述至少一半导体层包括：

第一位线与第二位线，其中所述第一位线位于所述介电层上，所述第二位线位于第一位线上方；

第一字线与第二字线，位于所述第一位线与所述第二位线之间；

源极线，位于所述第一字线与所述第二字线之间；

通道柱，贯穿所述第一字线、所述源极线与所述第二字线，且与所述第一位线、所述源极线及所述第二位线连接；

第一电荷储存结构，环绕所述第一字线的顶面与底面，并介于所述第一字线的侧壁与所述通道柱的侧壁的下部之间；以及

第二电荷储存结构，环绕所述第二字线的顶面与底面，并介于所述第二字线的侧壁与所述通道柱的所述侧壁的上部之间；

其中所述第一字线、所述第一电荷储存结构与所述通道柱形成第一存储单元；所述第二字线、所述第二电荷储存结构与所述通道柱形成第二存储单元。

2.如权利要求1所述的存储元件，其中所述通道柱包括绝缘芯、导电插塞以及环绕所述绝缘芯与导电插塞侧壁与所述绝缘芯的底部的通道层。

3.如权利要求1所述的存储元件，其中所述源极线位于所述第一电荷储存结构与所述第二电荷储存结构之间，且与所述第一电荷储存结构与所述第二电荷储存结构彼此分离。

4.如权利要求1所述的存储元件，其中所述通道柱被两条所述第一位线与两条所述第二位线跨过，且所述通道柱与所述两条的所述第一位线的其中之一以及所述两条的所述第二位线的其中之一电性连接，且与所述两条的所述第一位线的其中另一以及所述两条的所述第二位线的其中另一电性不连接。

5.如权利要求1所述的存储元件，其中所述至少一半导体层包括第一半导体层与位于所述第一半导体层上方的第二半导体层，所述第二半导体层的第一位线与所述第一半导体层的所述第二位线共用。

6.如权利要求1所述的存储元件，还包括字线接触窗，其向下延伸穿过所述第二电荷储存结构且与所述第二字线的顶面的末端接触。

7.如权利要求1所述的存储元件，还包括：

另一通道柱，与所述通道柱配置在同一行；以及

第三位线，与所述第二位线平行设置，其中所述第三位线与所述第二位线跨过所述通道柱与所述另一通道柱，且在所述通道柱所定义的宽度与所述另一通道柱所定义的另一宽度之内。

8.如权利要求7所述的存储元件，其中所述另一通道柱与所述第三位线电性连接，而所述通道柱与所述第二位线电性连接。

9.一种存储元件的制造方法，其特征在于，包括：

在介电层上形成第一位线；以及

至少一循环工艺，所述至少一循环工艺包括：

在所述第一位线与所述介电层上形成第一叠层结构、导体层及第二叠层结构，其中所述第一叠层结构与所述第二叠层结构各自分别包括由下而上的第一绝缘层、牺牲层与第二绝缘层，所述导体层作为源极线；

形成穿过所述第二叠层结构、所述导体层及所述第一叠层结构的孔；

在所述孔中形成通道柱，所述通道柱连接所述第一位线；

在所述第二叠层结构、所述导体层以及至少一部分所述第一叠层结构中形成凹槽；

移除所述凹槽所裸露的所述第二叠层结构及所述第一叠层结构的所述牺牲层，以形成第一字线沟道与第二字线沟道，其中所述第一字线沟道与第二字线沟道裸露出所述通道柱的侧壁；

形成第一电荷储存结构以覆盖所述第一字线沟道的顶面与底面及所述通道层的侧壁，并形成第二电荷储存结构以覆盖所述第二字线沟道的顶面与底面及所述通道层的所述侧壁；

在所述第一字线沟道中形成第一字线，并在所述第二字线沟道中形成第二字线；

在所述凹槽中填入绝缘材料；以及

在所述第二叠层结构上方形成第二位线，所述第二位线与所述通道柱电性连接，

其中所述第一字线、所述第一电荷储存结构与所述通道柱形成第一存储单元；所述第二字线、所述第二电荷储存结构与所述通道柱形成第二存储单元。

10.如权利要求9所述的存储元件的制造方法，其中所述凹槽至少延伸至所述第一叠层结构的所述第一绝缘层。