[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种用于执行等离子体处理的等离子体处理装置，其特征在于，包括：

腔室；

壁部件，其部分地配置在所述腔室的内部空间中，且从所述内部空间向所述腔室的外侧延伸而露出于所述腔室的外侧的空间；

设置在所述壁部件上的一个以上的隔热部件；和

由硅形成的接地部件，其设置在所述内部空间中，与所述壁部件一起被设定为接地电位，且搭载在所述一个以上的隔热部件上，

所述壁部件在与所述接地部件非接触的状态下隔着所述一个以上的隔热部件支承所述接地部件，

所述一个以上的隔热部件分别具有球状面，

所述接地部件与所述球状面接触，且搭载在该球状面上。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述一个以上的隔热部件是多个球体。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述壁部件形成有向上方开口的多个槽，

所述多个球体分别部分地配置在所述多个槽中的对应的槽之中。

4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述多个槽分别是燕尾槽，其开口端的宽度比所述多个球体各自的直径小，

所述多个球体各自的中心位于所述多个槽中的对应的槽之中。

5.如权利要求3或4所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述多个槽各自的界定底部的底面局部地形成有凹部，

所述多个球体分别在所述对应的槽中部分地配置在所述凹部之中。

6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述底面中的形成所述凹部的区域是球状凹面，

所述多个球体分别以部分地沿着所述区域延伸的方式配置。

7.如权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述一个以上的隔热部件具有比所述接地部件的热导率和所述壁部件的热导率低的热导率。

8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述一个以上的隔热部件由陶瓷、石英或不锈钢形成。