[发明专利]等离子体处理装置

说明书

本发明提供一种等离子体处理装置。例示的实施方式的等离子体处理装置包括腔室、壁部件、隔热部件和接地部件。壁部件部分地配置在腔室的内部空间中，且露出于腔室的外侧的空间。隔热部件设置在壁部件上。接地部件由硅形成。接地部件设置在内部空间中。接地部件搭载在隔热部件上。壁部件在与接地部件非接触的状态下隔着隔热部件支承接地部件。接地部件与隔热部件的球状面接触，且搭载在该球状面上。根据本发明，能够抑制腔室的内部空间中所设置的硅制的接地部件的损伤。

技术领域

本发明的例示的实施方式涉及等离子体处理装置。

背景技术

等离子体处理装置用于基片的处理。等离子体处理装置包括腔室。等离子体处理装置在腔室中使气体电离，而生成等离子体。在腔室中设置有接地部件。具有接地部件的等离子体处理装置记载在专利文献1中。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2012-138497号公报。

要求能够抑制等离子体处理装置的腔室的内部空间中所设置的硅制的接地部件的损伤。

发明内容

一个例示的实施方式中，提供一种用于执行等离子体处理的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括腔室、壁部件、一个以上的隔热部件和接地部件。壁部件部分地配置在腔室的内部空间中，且从内部空间向腔室的外侧延伸而露出于腔室的外侧的空间。一个以上的隔热部件设置在壁部件上。接地部件由硅形成。接地部件设置在内部空间中。接地部件与壁部件一起被设定为接地电位。接地部件搭载在一个以上的隔热部件上。壁部件在与接地部件非接触的状态下隔着一个以上的隔热部件支承接地部件。一个以上的隔热部件分别具有球状面。接地部件与球状面接触，且搭载在该球状面上。

根据一个例示的实施方式，能够抑制等离子体处理装置的腔室的内部空间中所设置的硅制的接地部件的损伤。

附图说明

图1是概略地表示一个例示的实施方式的等离子体处理装置的图。

图2是图1所示的等离子体处理装置的局部放大剖视图。

图3是图1所示的等离子体处理装置的局部放大剖视图。

图4是图1所示的等离子体处理装置的局部放大剖视图。

图5是图1所示的等离子体处理装置的局部放大剖视图。

图6是图1所示的等离子体处理装置的局部放大立体图。

图7是图1所示的等离子体处理装置的局部放大立体图。

图8是图1所示的等离子体处理装置的局部放大立体图。

附图标记说明

1…等离子体处理装置，10…腔室，56…接地部件，58…壁部件，84…隔热部件。

具体实施方式

以下，说明各种的例示的实施方式。

在一个例示的实施方式中，提供一种用于执行等离子体处理的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括腔室、壁部件、一个以上的隔热部件和接地部件。壁部件部分地配置在腔室的内部空间中，且从内部空间向腔室的外侧延伸而露出于腔室的外侧的空间。一个以上的隔热部件设置在壁部件上。接地部件由硅形成。接地部件设置在内部空间中。接地部件与壁部件一起被设定为接地电位。接地部件搭载在一个以上的隔热部件上。壁部件在与接地部件非接触的状态下隔着一个以上的隔热部件支承接地部件。一个以上的隔热部件分别具有球状面。接地部件与球状面接触，且搭载在该球状面上。