[发明专利]一种高可靠性整流桥及整流模块的生产工艺在审

专利信息
申请号: 202010384855.4 申请日: 2020-05-09
公开(公告)号: CN111613540A 公开(公告)日: 2020-09-01
发明(设计)人: 汪良恩;杨华;朱京江;汪曦凌 申请(专利权)人: 安徽安美半导体有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/29;H01L21/02;H02M7/219
代理公司: 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 代理人: 陈国俊
地址: 247100 安徽省池州市经*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 可靠性 整流 模块 生产工艺
【权利要求书】:

1.一种高可靠性整流桥及整流模块的生产工艺,其特征在于包括如下步骤:

取镀金后的已扩散硅片,进行光刻和蚀刻开沟,对蚀刻开沟后的晶圆片进行一次碱洗,再切割成OJ芯片;

取切割后的OJ芯片焊接在整流桥框架中;

对焊接在整流桥框架上的OJ芯片进行二次碱洗;

在碱洗后的铜基框架及同等功能基片上的OJ芯片四周填涂聚酰亚胺,实现对OJ芯片PN结的钝化保护;

采用传统的环氧树脂或AB胶对钝化后的产品进行封装。

2.如权利要求1所述的一种高可靠性整流桥及整流模块的生产工艺,其特征在于:所述生产工艺应用于半波整流、单相整流、三相整流及相同功能系列整流桥及整流模块上。

3.如权利要求2所述的一种高可靠性整流桥及整流模块的生产工艺,其特征在于:所述半波整流系列的整流桥包括TO-251、TO-252、TO-220、ITO-220、TO-263、TO-3P、TO-247、TO-252、TO-92。

4.如权利要求2所述的一种高可靠性整流桥及整流模块的生产工艺,其特征在于:所述单相整流系列的整流桥包括UMBF、MBF、MBS、ABS、DBS、DBM、KBP、GBP、KBL、KBU、GBU、GBJ、KBJ、GBPC、KBPC、BR、D3K、WOB、WOG。

5.如权利要求2所述的一种高可靠性整流桥及整流模块的生产工艺,其特征在于:所述三相整流系列的整流桥包括SKBPC、SGBJ、MT、TSB-5。

6.如权利要求2所述的一种高可靠性整流桥及整流模块的生产工艺,其特征在于:所述整流模块包括MFQ、MFS系列。

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