[发明专利]一种高可靠性整流桥及整流模块的生产工艺

说明书

本发明公开了一种高可靠性整流桥及整流模块的生产工艺，属于半导体器件加工领域。包括以下步骤：取镀金后的已扩散硅片，进行光刻和蚀刻开沟，对蚀刻开沟后的晶圆片进行一次碱洗，再切割成OJ芯片；取切割后的OJ芯片焊接在整流桥框架中；对焊接在整流桥框架上的OJ芯片进行二次碱洗；在碱洗后的铜基框架及同等功能基片上的OJ芯片四周填涂聚酰亚胺，实现对OJ芯片PN结的钝化保护；采用传统的环氧树脂或AB胶对钝化后的产品进行封装。本发明采用OJ芯片焊接好后，进行碱洗和聚酰亚胺钝化保护，相比较传统生产工艺具有工艺简单，成本低，耐高温能力和耐高低温循环能力强，可靠性高，低功耗节能，使用寿命长。

技术领域

本发明属于半导体器件加工领域，具体涉及一种高可靠性的整流桥及整流模块生产工艺。

背景技术

传统的整流桥及整流模块通常由多个GPP芯片先钝化保护，然后再焊接到一个框架中作桥式连接，外部采用绝缘材料环氧树脂封装而成。但是这种工艺缺点是，GPP芯片与硅的膨胀系数差异很大，耐高低温循环能力（TC能力）和耐高温能力(HTRB能力)相对较低，可靠性低；而且GPP芯片加工需经过三道光刻，工艺复杂，成本高。

发明内容

针对传统技术中缺陷与不足的问题，本发明提出了一种高可靠性整流桥及整流模块的生产工艺，采用OJ芯片焊接好后进行碱洗和聚酰亚胺钝化保护，相比较传统生产工艺具有工艺简单，成本低，耐高温能力和耐高低温循环能力强，可靠性高，低功耗节能，使用寿命长。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案为：

一种高可靠性整流桥及整流模块的生产工艺, 包括如下步骤：

a.取镀金后的已扩散硅片，进行光刻和蚀刻开沟，对蚀刻开沟后的晶圆片进行一次碱洗，再切割成OJ芯片；

b.取切割后的OJ芯片焊接在整流桥框架中；

c.对焊接在整流桥框架上的OJ芯片进行二次碱洗；

d.在碱洗后的铜基框架及同等功能基片上的OJ芯片四周填涂聚酰亚胺，实现对OJ芯片PN结的钝化保护；

e.采用传统的环氧树脂或AB胶对钝化后的产品进行封装。

进一步的，所述生产工艺应用于半波整流、单相整流、三相整流及相同功能系列整流桥及整流模块上。

进一步的，所述半波整流系列的整流桥包括TO-251、TO-252、TO-220、ITO-220、TO-263、TO-3P、TO-247、TO-252、TO-92。

进一步的，所述单相整流系列的整流桥包括UMBF、MBF、MBS、ABS、DBS、DBM、KBP、GBP、KBL、KBU、GBU、GBJ、KBJ、GBPC、KBPC、BR、D3K、WOB、WOG。

进一步的，所述三相整流系列的整流桥包括SKBPC、SGBJ、MT、TSB-5。

进一步的，所述整流模块包括MFQ、MFS系列。

本发明具有如下有益效果：本发明采用OJ芯片焊接好后，进行碱洗和聚酰亚胺钝化保护，相比较传统整流桥的生产工艺，优点在于：

1）工艺简单，成本低；

2）耐高温能力强(HTRB能力)和耐高低温循环能力（TC能力）强，可靠性高；

3）功耗低（LOW-VF），节能，使用寿命长。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明的具体实施方式进行详细说明。

实施例一：

一种高可靠性整流桥及整流模块的生产工艺, 包括如下步骤：