[发明专利]应用于存储器件制备过程中的刻蚀方法

权利要求书

1.一种应用于存储器件制备过程中的刻蚀方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底从下而上依次形成有耦合氧化层、浮栅多晶硅层、隔离层以及控制栅多晶硅层，所述控制栅多晶硅层上形成有硬掩模层，所述硬掩模层和所述控制栅多晶硅层的表面形成有氧化层，所述硬掩模层周侧的氧化层形成侧墙；

通过ICP刻蚀设备依次对所述氧化层和控制栅多晶硅层进行刻蚀至所述隔离层暴露，去除所述硬掩模层之间的氧化层和控制栅多晶硅层，剩余的控制栅多晶硅层形成控制栅，通过调节刻蚀过程中的参数使所述侧墙和所述控制栅的侧壁的连接处没有凸起结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在通过所述ICP刻蚀设备依次对所述氧化层和控制栅多晶硅层进行刻蚀的过程中，通过调节所述ICP设备的偏置电压，和/或，刻蚀反应气体使所述侧墙和所述控制栅的侧壁的连接处没有凸起结构。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在通过所述ICP刻蚀设备依次对所述氧化层和控制栅多晶硅层进行刻蚀的过程中，对所述氧化层进行刻蚀的偏执电压为500伏特至700伏特。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在通过所述ICP刻蚀设备依次对所述氧化层和控制栅多晶硅层进行刻蚀的过程中，对所述氧化层进行刻蚀的刻蚀反应气体包括四氟化碳。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在通过所述ICP刻蚀设备依次对所述氧化层和控制栅多晶硅层进行刻蚀的过程中，对所述控制栅多晶硅层进行刻蚀的反应气体包括含碳元素和氟元素的气体。

6.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述硬掩模层包括硅氮化物。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述隔离层包括ONO层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述耦合氧化层的厚度为70埃至110埃。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述控制栅多晶硅层的厚度为500埃至700埃。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述浮栅多晶硅层的厚度为250埃至350埃。