[发明专利]一种存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器的制造方法，其包括以下：

(1)提供衬底，所述衬底包括公共电极层；

(2)在所述衬底上形成第一半导体层；

(3)在所述第一半导体层上形成绝缘层堆叠体，所述绝缘体堆叠体包括依次交替堆叠的多个第一绝缘层和第二绝缘层；

(4)刻蚀所述绝缘层堆叠体形成环形槽，并在所述环形槽中填充半导体材料形成环形半导体层；

(5)刻蚀所述绝缘层堆叠体形成第一孔洞，其中，所述环形半导体层环绕所述第一孔洞；

(6)以所述第一孔洞为开口湿法刻蚀第二绝缘层，以形成位于所述第一孔洞侧壁上的多个第一侧壁槽，所述多个第一侧壁槽由所述环形半导体层和所述第一绝缘层界定；

(7)在所述第一孔洞和第一侧壁槽中形成第一存储栅结构；

(8)围绕所述环形半导体层的外侧刻蚀所述绝缘层堆叠体，以形成多个第二孔洞；

(9)以所述第二孔洞为开口湿法刻蚀第一绝缘层，以形成位于所述第二孔洞侧壁上的多个第二侧壁槽，所述多个第二侧壁槽由所述环形半导体层和所述第二绝缘层界定；

(10)在所述第二侧壁槽中形成控制栅结构。

2.根据权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于：在步骤(6)和步骤(7)之间还包括：对所述第一侧壁槽所露出的环形半导体层部分进行掺杂。

3.根据权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于：在步骤(9)和步骤(10)之间还包括：对所述第二侧壁槽所露出的环形半导体层部分进行掺杂。

4.根据权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征在于：在步骤(8)中，刻蚀所述绝缘层堆叠体包括刻蚀所述第一半导体层，以露出所述公共电极层。

5.根据权利要求4所述的存储器的制造方法，其特征在于：还包括步骤(11)，在所述第二孔洞中形成第二存储栅结构。

6.一种存储器，其通过权利要求1-5中任一项所述存储器的制造方法得到，具体包括：

衬底，所述衬底包括公共电极层；

第一半导体层，形成于所述公共电极层上；

绝缘层堆叠体，设置在所述第一半导体层上且包括依次交替堆叠的多个第一绝缘层和第二绝缘层；

环形半导体层，设置于所述绝缘层堆叠体中，其底部与所述第一半导体层直接接触；

多个第一孔洞，形成于所述绝缘层堆叠体中且被所述环形半导体层环绕；

多个第一侧壁槽，设置于所述第一孔洞的侧壁且由所述环形半导体层和所述第一绝缘层界定；

第一存储栅结构，形成于所述第一孔洞和第一侧壁槽中；

多个第二孔洞，形成于所述绝缘层堆叠体中且环绕所述环形半导体层；

多个第二侧壁槽，设置于所述第二孔洞的侧壁且由所述环形半导体层和所述第二绝缘层界定；

控制栅结构，形成于所述第二侧壁槽中。

7.根据权利要求6所述的存储器，其特征在于：所述第一半导体层和环形半导体层的材质相同，均为多晶硅或单晶硅。

8.根据权利要求6所述的存储器，其特征在于：所述第一存储栅结构包括依次设置于所述第一孔洞和第一侧壁槽中的第一介质层、存储电荷层、第二介质层和第一存储栅极。

9.根据权利要求6所述的存储器，其特征在于：所述控制栅结构包括依次设置于所述第二侧壁槽中的第三介质层和控制栅极。

10.根据权利要求6所述的存储器，其特征在于：所述第二孔洞内形成有第二存储栅结构。