[发明专利]一种存储器及其制造方法

说明书

本发明提供了一种存储器及其制造方法，其具有第一半导体层和环形半导体层组成的有源区部分，并且利用存储栅结构和控制栅结构对所述有源区进行导通传输；在制造方法上，分别制造第一半导体层和环形半导体层，然后在环形半导体层中形成存储栅结构，在所述环形半导体层外形成控制栅结构，方法极为简单，且能够实现较大的存储密度。

技术领域

本发明涉及半导体器件制造测试领域，具体涉及一种存储器及其制造方法。

背景技术

3D NAND存储器是一种拥有三维堆叠结构的闪存器件，其存储核心区是由交替堆叠的金属栅层和层间绝缘层结合垂直沟道孔组成。相同面积条件下，垂直堆叠的金属栅层越多，意味着闪存器件的存储密度越大、容量越大。目前常见的存储结构的字线堆叠层数可达数十上百层。

为了提高存储器的存储密度，出现了堆叠存储器。该堆叠存储器由至少两个堆叠结构对接在一起形成。目前，堆叠存储器的制造工艺中，一般均是在堆叠结构对接后，再通过一步工艺形成沟道孔内部的存储器的功能层，其中，存储器功能层包括存储器层和沟道层。该种存储器存储密度有待提高，且不能够很简单的制造。

发明内容

为此，本发明提供了一种存储器的制造方法，其包括以下：

(1)提供衬底，所述衬底包括公共电极层；

(2)在所述衬底上形成第一半导体层；

(3)在所述第一半导体层上形成绝缘层堆叠体，所述绝缘体堆叠体包括依次交替堆叠的多个第一绝缘层和第二绝缘层；

(4)刻蚀所述绝缘层堆叠体形成环形槽，并在所述环形槽中填充半导体材料形成环形半导体层；

(5)刻蚀所述绝缘层堆叠体形成第一孔洞，其中，所述环形半导体层环绕所述第一孔洞；

(6)以所述第一孔洞为开口湿法刻蚀第二绝缘层，以形成位于所述第一孔洞侧壁上的多个第一侧壁槽，所述多个第一侧壁槽由所述环形半导体层和所述第一绝缘层界定；

(7)在所述第一孔洞和第一侧壁槽中形成第一存储栅结构；

(8)围绕所述环形半导体层的外侧刻蚀所述绝缘层堆叠体，以形成多个第二孔洞；

(9)以所述第二孔洞为开口湿法刻蚀第一绝缘层，以形成位于所述第二孔洞侧壁上的多个第二侧壁槽，所述多个第二侧壁槽由所述环形半导体层和所述第二绝缘层界定；

(10)在所述第二侧壁槽中形成控制栅结构。

其中，在步骤(6)和步骤(7)之间还包括：对所述第一侧壁槽所露出的环形半导体层部分进行掺杂。

其中，在步骤(9)和步骤(10)之间还包括：对所述第二侧壁槽所露出的环形半导体层部分进行掺杂。

其中，在步骤(8)中，刻蚀所述绝缘层堆叠体包括刻蚀所述第一半导体层，以露出所述公共电极层。

其中，还包括步骤(11)，在所述第二孔洞中形成第二存储栅结构。

根据上述制造方法，本发明还提供了一种存储器，具体包括：

衬底，所述衬底包括公共电极层；

第一半导体层，形成于所述公共电极层上；

绝缘层堆叠体，设置在所述第一半导体层上且包括依次交替堆叠的多个第一绝缘层和第二绝缘层；

环形半导体层，设置于所述绝缘层堆叠体中，其底部与所述第一半导体层直接接触；

多个第一孔洞，形成于所述绝缘层堆叠体中且被所述环形半导体层环绕；

多个第一侧壁槽，设置于所述第一孔洞的侧壁且由所述环形半导体层和所述第一绝缘层界定；