[发明专利]一种触摸显示面板及其制造方法有效
| 申请号： | 202010386264.0 | 申请日： | 2020-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN111540713B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 孙德瑞 | 申请（专利权）人： | 青岛三顺智能电器有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/32;H01L23/64;H01L27/12;G06F3/044 |
| 代理公司： | 深圳泛航知识产权代理事务所(普通合伙) 44867 | 代理人： | 邓爱军 |
| 地址： | 266400 山东省青岛市黄*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 触摸 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种触摸显示面板的制造方法，其包括以下步骤：
(1)在衬底上形成薄膜晶体管；
(2)形成覆盖所述薄膜晶体管的平坦层；
(3)在所述平坦层上形成像素限定层；
(4)在所述像素限定层中形成多个环形电容结构，所述环形电容结构包括环形相对的第一电容电极和第二电容电极；
(5)在所述第一电容电极和第二电容电极之间形成挡墙结构，挡墙结构的一部分嵌入在所述像素限定层中；
(6)在所述像素限定层中形成多个像素定义孔，并在所述多个像素定义孔中形成多个像素单元，其中所述多个环形电容结构分别环绕所述多个像素单元。
2.根据权利要求1所述的触摸显示面板的制造方法，其特征在于，
所述挡墙结构的另一部分突出于所述像素限定层的上表面。
3.根据权利要求1所述的触摸显示面板的制造方法，其特征在于，
所述像素单元依次包括在所述平坦层上表面上的底电极、在所述像素定义孔中的有机发光层以及覆盖所述有机发光层的顶电极。
4.根据权利要求3所述的触摸显示面板的制造方法，其特征在于，
所述第一电容电极和第二电容电极均垂直于所述像素限定层的上表面，且完全嵌入在所述像素限定层中。
5.根据权利要求4所述的触摸显示面板的制造方法，其特征在于，
在所述平坦层上制备所述底电极的同时，形成分别连接所述第一电容电极和第二电容电极的第一引出线和第二引出线。
6.根据权利要求3所述的触摸显示面板的制造方法，其特征在于，
所述第一电容电极和第二电容电极均垂直于所述像素限定层的上表面，且经由所述像素限定层延伸至所述平坦层中，所述挡墙结构至少延伸至所述像素限定层。
7.根据权利要求6所述的触摸显示面板的制造方法，其特征在于，
在形成所述薄膜晶体管的源漏电极层的同时，形成分别连接所述第一电容电极和第二电容电极的第一引出线和第二引出线。
8.根据权利要求3所述的触摸显示面板的制造方法，其特征在于，
所述挡墙结构具有一缺口，所述顶电极的互连层通过所述缺口。
9.根据权利要求1所述的触摸显示面板的制造方法，其特征在于，
所述挡墙结构为无机氧化物或聚合物材料。
10.一种触摸显示面板，其通过权利要求1-9任一项所述的触摸显示面板的制造方法形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
