[发明专利]一种MOS电容器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010386643.X | 申请日： | 2020-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN113629041A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 王芳;傅焕松 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 266555 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mos 电容 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种MOS电容器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供衬底，所述衬底具有衬底正面及衬底背面；
在所述衬底正面上形成包括多层结构的介质层；
在所述介质层上方形成第一电极；
在所述衬底背面形成第二电极。
2.根据权利要求1所述的MOS电容器件的制造方法，其特征在于，在所述衬底正面上形成包括多层结构的介质层还包括以下步骤：
在所述衬底正面上形成第一介质层；
在所述第一介质层上方形成第二介质层；
在所述第二介质层上方形成第三介质层。
3.根据权利要求1所述的MOS电容器件的制造方法，其特征在于，提供衬底还包括：
对所述衬底进行离子掺杂以降低所述衬底的电阻率。
4.根据权利要求1所述的MOS电容器件的制造方法，其特征在于，在所述衬底正面上形成包括多层结构的介质层包括：
在800℃～1200℃下对所述衬底进行热氧化，在所述衬底正面上形成所述第一介质层。
5.根据权利要求1所述的MOS电容器件的制造方法，其特征在于，在所述衬底正面上形成包括多层结构的介质层包括：
在所述衬底正面沉积氧化物层；
对所述氧化物层进行钝化处理以形成所述第一介质层。
6.根据权利要求5所述的MOS电容器件的制造方法，其特征在于，对所述氧化物层进行钝化处理以形成所述第一介质层包括：
采用N2对所述氧化物层进行钝化处理，以形成氮氧化物层。
7.根据权利要求1所述的MOS电容器件的制造方法，其特征在于，在所述衬底正面上形成包括多层结构的介质层包括：
在所述衬底正面形成第一介质层；
在所述第一介质成上方形成第二介质层；
将所述衬底转动90°～270°；
在所述第二介质成上方形成第三介质层。
8.根据权利要求1所述的MOS电容器件的制造方法，其特征在于，在所述衬底正面上形成包括多层结构的介质层包括：
在所述衬底正面形成第一介质层；
在所述第一介质层上方形成第二介质层；
测量所述第二介质层的厚度，形成所述第二介质层的厚度地形图；
根据所述第二介质层的厚度地形图调整形成下一介质层的厚度地形图；
根据所述下一介质层的厚度地形图在所述第二介质层上方形成第三介质层。
9.根据权利要求7或8所述的MOS电容器件的制造方法，其特征在于，还包括：
在900℃～1200℃下对所述介质层进行退火。
10.根据权利要求1所述的MOS电容器件的制造方法，其特征在于，还包括：
图案化所述第一电极；
在所述第一电极上方形成第一金属互连层，所述第一金属互连层与所述第一电极和所述第二电极电连接。
11.根据权利要求1所述的MOS电容器件的制造方法，其特征在于，在所述介质层上方形成第一电极包括：
在所述介质层上方形成金属粘附层；
在所述金属粘附层上方形成金属阻挡层；
在所述金属阻挡层上方形成金属层。
12.根据权利要求1所述的MOS电容器件的制造方法，其特征在于，在所述衬底背面形成第二电极包括：
在所述衬底背面形成金属粘附层；
在所述金属粘附层上方形成金属阻挡层；
在所述金属阻挡层上方形成金属层。
13.根据权利要求1或12所述的MOS电容器件的制造方法，其特征在于，在所述衬底背面形成第二电极之前还包括：对所述衬底背面进行减薄。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芯恩（青岛）集成电路有限公司，未经芯恩（青岛）集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010386643.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种热锻非调质钢加工的打磨去毛边设备
- 下一篇：一种边缘计算的云边协同系统
