[发明专利]一种MOS电容器件及其制造方法

说明书

本发明提供一种MOS电容器件及其制造方法，该方法包括提供衬底，在衬底正面上形成包括多层结构的介质层；在介质层上方形成第一电极；在衬底背面形成第二电极。衬底作为电容器件的一部分，形成的电容器件作为独立的器件。增加了电容器件设计的灵活性。本方法分别形成多层介质层，利于控制整个介质层的厚度、致密度以及厚度的均匀性，实现良好的介质层厚度均匀性，这样有利于提高电容值的精确度。上述独立的电容器件适用于高频应用，在高频应用下，具有精确的阻抗匹配及去噪滤波功能，具有大功率、高击穿电压、低损耗及高精确度等性能特点。上述电容器件可与其他器件在电路基板上封装组合形成器件模组，增加了半导体集成电路设计的灵活性。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种MOS电容器件及其制造方法。

背景技术

电容在集成电路中具有广泛应用，可以起到耦合、滤波以及补偿等多种作用。例如，为了改善射频(RF，Radio Frequency)集成电路或混合信号集成电路的性能，需要采用大容量的电容器。

在晶圆中的电容结构通常包括有MOM(Metal 0xide Meta1)电容、MIM(MetalInsulator Meta1)电容或PIP(Poly Insulator Poly)电容。通常，这些电容结构嵌套在其他器件的设计版图中，例如嵌套设计在Logic，DRAM(Dynamic Random Access Memory，即动态随机存取存储器)，Flash，EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-OnlyMemory，带电可擦可编程只读存储器)，等存储器件中。

然而，上述电容结构一般应用在低频领域，并且电容的精度较低，功率较低，并且一般的击穿电压也较低。不能适用于高频领域，应用非常受限。

针对上述问题，急需一种精度高、功率高且适用于高频领域的电容器件。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种MOS电容器件及其制造方法，该方法中，在衬底正面形成介质层，在介质层上方形成第一电极，并且在衬底背面形成第二电极，上述介质层为多层结构。该方法直接在衬底上形成电容器，电容器作为独立的电容器件，适用性更广。

为实现上述目的及其它相关目的，本发明提供了一种MOS电容器件的制造方法，该方法包括如下步骤：

提供衬底，所述衬底具有衬底正面及衬底背面；

在所述衬底正面上形成包括多层结构的介质层；

在所述介质层上方形成第一电极；

在所述衬底背面形成第二电极。

可选地，在所述衬底正面上形成包括多层结构的介质层还包括以下步骤：

在所述衬底正面上形成第一介质层；

在所述第一介质层上方形成第二介质层；

在所述第二介质层上方形成第三介质层。

可选地，提供衬底还包括：

对所述衬底进行离子掺杂以降低所述衬底的电阻率。

可选地，在所述衬底正面上形成包括多层结构的介质层包括：

在800℃～1200℃下对所述衬底进行热氧化，在所述衬底正面上形成所述第一介质层。

可选地，在所述衬底正面上形成包括多层结构的介质层包括：

在所述衬底正面沉积氧化物层；

对所述氧化物层进行钝化处理以形成所述第一介质层。

可选地，对所述氧化物层进行钝化处理以形成所述第一介质层包括：