[发明专利]一种太阳电池及激光切片方法

权利要求书

1.一种太阳电池，包括电池本体(1)，其特征在于，所述的电池本体(1)前表面至少设有一条无发射极区域(2)。

2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述的电池本体(1)包括p型硅基底(3)，p型硅基底前表面从里到外依次设有PERC磷扩散发射极(4)和PERC电池减反射膜(5)，p型硅基底后表面从里到外依次设有第一PERC电池背面钝化层(6)和第二PERC电池背面钝化层(7)，所述的无发射极区域(2)贯穿PERC磷扩散发射极(4)和PERC电池减反射膜(5)。

3.根据权利要求3所述的太阳电池，其特征在于，所述的无发射极区域(2)呈矩形，并将PERC磷扩散发射极(4)和PERC电池减反射膜(5)隔断。

4.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述的电池本体(1)包括n型硅基底(8)，n型硅基底(8)前表面从里到外依次设有TOPCon硼扩散发射极(9)和TOPCon太阳电池减反射膜(10)，n型硅基底(8)后表面从里到外依次设有隧穿氧化层(11)、磷掺杂多晶硅薄膜(12)和背面SiNx:H薄膜(13)，所述的无发射极区域(2)贯穿TOPCon硼扩散发射极(9)和TOPCon太阳电池减反射膜(10)。

5.根据权利要求4所述的太阳电池，其特征在于，所述的无发射极区域(2)呈矩形，并将TOPCon硼扩散发射极(9)和TOPCon太阳电池减反射膜(10)隔断。

6.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，无发射极区域(2)宽度为40μm-2000μm，深度小于1μm。

7.根据权利要求1-5任意一项所述太阳电池的激光切片方法，其特征在于，用激光在电池本体(1)具有p-n结一面，在后续的激光切片位置将有p-n上面的磷硅玻璃或硼硅玻璃划开，接着用湿法腐蚀、干法刻蚀或机械刻蚀的方式将开膜区域的p-n结构去除，形成无发射极区域(2),并制成电池，之后用激光沿着正面无发射极区域(2)切割，或者沿着正面无发射极区域对应的电池背面的区域切割,将电池本体(1)裂开。

8.根据权利要求6所述的太阳电池的激光切片方法，其特征在于，所述的无发射极区域(2)宽度为40μm-2000μm，深度小于1μm，激光沿着正面无发射极区域(2)或者沿着正面无发射极区域对应的电池背面的区域切割的激光切割线光斑大小为5-50μm。

9.根据权利要求6所述的太阳电池的激光切片方法，其特征在于，所述的激光切割线位于无发射极区域(2)中心轴位置的±200μm内。

10.根据权利要求9所述的太阳电池的激光切片方法，其特征在于，所述的激光切割线的中心轴与无发射极区域(2)中心轴重合。