[发明专利]一种太阳电池及激光切片方法

说明书

本发明提供了一种太阳电池及激光切片方法，属于光伏技术领域。它包括电池本体，所述的电池本体前表面至少设有一条无发射极区域，具体方法是用激光在电池本体具有p‑n结一面，在后续的激光切片位置将有p‑n上面的磷硅玻璃或硼硅玻璃划开，接着用湿法腐蚀、干法刻蚀或机械刻蚀的方式将开膜区域的p‑n结构去除，形成无发射极区域,并制成电池，之后用激光沿着正面无发射极区域切割，或者沿着正面无发射极区域对应的电池背面的区域切割,将电池本体裂开。本发明可以消除激光切割对p‑n结的损伤，显著地减弱由于激光切割导致的太阳电池填充因子下降。

技术领域

本发明属于光伏技术领域，涉及一种太阳电池及激光切片方法。

背景技术

激光切片技术是近几年来光伏组件端开发的高效技术，广泛用于切半组件和叠瓦组件制作中，组件功率可明显提升。然而激光切割损伤导致了切割后的太阳电池片的效率损失，进而减弱了切半组件或叠瓦组件的功率增益。

现有技术制备的晶体硅太阳电池在经过激光切半后其填充因子会显著降低,进而造成光电转换效率降低,以PERC太阳电池为例,激光切半后半片电池的效率降低约0.1％-0.2％abs，以TOPCon电池为例，激光切半后半片电池的效率降低约0.2-0.3％abs。最近，部分企业使用更大尺寸的硅片做太阳电池，如210mm×210mm的硅片，制作组件时会将太阳电池用激光一切为三，必然使得两个边都是激光切割面的那片太阳电池片效率降低更多，从而引起电池片串焊失配。同样地，叠瓦组件要求将一片太阳电池切割为多份，电池片效率降低更为显著。

发明内容

本发明的目的是针对上述问题，提供一种太阳电池。

本发明的另一目的是提供一种太阳电池的激光切片方法。

为达到上述目的，本发明采用了下列技术方案：

一种太阳电池，包括电池本体，所述的电池本体前表面至少设有一条无发射极区域。

进一步的，所述的电池本体包括p型硅基底，p型硅基底前表面从里到外依次设有PERC磷扩散发射极和PERC电池减反射膜，p型硅基底后表面从里到外依次设有第一PERC电池背面钝化层和第二PERC电池背面钝化层，所述的无发射极区域贯穿PERC磷扩散发射极和PERC电池减反射膜。

进一步的，所述的无发射极区域呈矩形，并将PERC磷扩散发射极和PERC电池减反射膜隔断。

进一步的，所述的电池本体包括n型硅基底，n型硅基底前表面从里到外依次设有TOPCon硼扩散发射极和TOPCon太阳电池减反射膜，n型硅基底后表面从里到外依次设有隧穿氧化层、磷掺杂多晶硅薄膜和背面SiNx:H薄膜，所述的无发射极区域贯穿TOPCon硼扩散发射极和TOPCon太阳电池减反射膜。

进一步的，所述的无发射极区域呈矩形，并将TOPCon硼扩散发射极和TOPCon太阳电池减反射膜隔断。

进一步的，无发射极区域2宽度为40μm-2000μm，深度小于1μm。

一种上述的太阳电池的激光切片方法，用激光在电池本体具有p-n结一面，在后续的激光切片位置将有p-n上面的磷硅玻璃或硼硅玻璃划开，接着用湿法腐蚀、干法刻蚀或机械刻蚀的方式将开膜区域的p-n结构去除，形成无发射极区域,并制成电池，之之后用激光沿着正面无发射极区域切割，或者沿着正面无发射极区域对应的电池背面的区域切割,将电池本体裂开。

进一步的，所述的无发射极区域宽度为40μm-2000μm，深度小于1μm，激光沿着正面无发射极区域或者沿着正面无发射极区域对应的电池背面区域切割的激光切割线光斑大小为5-50μm。

进一步的，所述的激光切割线位于无发射极区域中心轴位置的±200μm内。

进一步的，所述的激光切割线的中心轴与无发射极区域中心轴重合。