[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

隔离绝缘层，设置在衬底上方；

半导体鳍，设置在所述衬底上方，所述半导体鳍的从所述隔离绝缘层突出的上部和所述半导体鳍的下部嵌入所述隔离绝缘层中；

栅极结构，设置在所述半导体鳍的所述上部上方并且包括栅极介电层和栅电极层；

栅极侧壁间隔件，设置在所述栅极结构的相对侧面上；以及

源极/漏极外延层，其中：

所述半导体鳍的所述上部包括由与所述半导体鳍的其余部分不同的半导体材料制成的第一外延生长增强层，

所述第一外延生长增强层与所述源极/漏极外延层接触，以及

所述栅极介电层覆盖包括所述第一外延生长增强层的所述半导体鳍的所述上部。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一外延生长增强层包括SiP、SiCP、SiGe和SiGeB中的一种。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一外延生长增强层位于所述半导体鳍的顶部。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一外延生长增强层包括Si、SiP和SiGe中的一种的氧化物。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体鳍的所述下部包括第二外延生长增强层，所述第二外延生长增强层由不同于所述第一外延生长增强层的所述半导体鳍的所述其余部分的半导体材料制成。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一外延生长增强层的成分不同于所述第二外延生长增强层的成分。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述半导体鳍的所述上部还包括第三外延生长增强层，所述第三外延生长增强层由不同于所述第一外延生长增强层和所述第二外延生长增强层的所述半导体鳍的所述其余部分的半导体材料制成。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第三外延生长增强层的成分不同于所述第一外延生长增强层和所述第二外延生长增强层的成分。

9.一种半导体器件，包括：

隔离绝缘层，设置在衬底上；

半导体鳍，设置在所述衬底上并且包括底部鳍层、一个或多个主体层和由与所述一个或多个主体层不同的材料制成的一个或多个外延生长增强层；

栅极结构，设置在所述半导体鳍的沟道区域上方并且包括栅极介电层和栅电极层；

栅极侧壁间隔件，设置在所述栅极结构的相对侧面上；

源极/漏极外延层；以及

鳍衬垫层，部分地覆盖所述半导体鳍，其中：

所述一个或多个外延生长增强层中的至少一个与所述源极/漏极外延层接触，以及

所述鳍衬垫层至少在所述栅极侧壁间隔件下方设置在所述半导体鳍上，以及

所述鳍衬垫层的顶部高于所述一个或多个外延生长增强层中的最上一层的顶部并且低于所述沟道区域的顶部。

10.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上方形成鳍结构，所述鳍结构包括底部鳍层、一个或多个主体层以及由与所述一个或多个主体层不同的材料制成的一个或多个外延生长增强层；

在所述衬底上形成隔离绝缘层，以使所述鳍结构的上部从所述隔离绝缘层突出；

在所述鳍结构的沟道区域上方形成牺牲栅极结构；

通过凹进所述鳍结构的源极/漏极区域形成源极/漏极空间，使得所述一个或多个外延生长增强层中的至少一个暴露在所述源极/漏极空间中；以及

在源极/漏极凹进中形成源极/漏极外延层，

其中，所述一个或多个外延生长增强层中的所述至少一个与所述源极/漏极外延层接触。