[发明专利]存储器阵列及形成集成组件的方法

权利要求书

1.一种存储器阵列，包括：

交替的绝缘层级和字线层级的垂直堆叠；以及

沿所述堆叠垂直延伸的沟道材料；所述沟道材料包括半导体组合物并且具有与第二区段交替的第一区段；所述第一区段与所述字线层级相邻，并且所述第二区段与所述绝缘层级相邻；所述第一区段具有第一掺杂剂分布；并且所述第二区段具有与所述第一掺杂剂分布不同的第二掺杂剂分布。

2.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述第一区段是p型，而所述第二区段是n型。

3.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述第一区段是n型，而所述第二区段是p型。

4.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述第二区段包括比所述第一区段更高的磷浓度。

5.根据权利要求1所述的存储器阵列，进一步包括在所述第一区段与所述字线层级之间的电荷存储材料。

6.根据权利要求5所述的存储器阵列，其中所述电荷存储材料是电荷陷获材料。

7.根据权利要求6所述的存储器阵列，其中所述电荷陷获材料包括氮化硅。

8.根据权利要求6所述的存储器阵列，其中所述电荷陷获材料被配置为与所述字线层级相邻的结构，此类结构通过与所述绝缘层级相邻的间隙彼此垂直间隔开。

9.一种存储器阵列，包括：

交替的绝缘层级和字线层级的垂直堆叠；

与所述字线层级相邻的电荷阻挡材料；

与所述电荷阻挡材料相邻的电荷存储材料；

与所述电荷存储材料相邻的电荷穿隧材料；以及

沟道材料，其沿所述堆叠垂直延伸并且与所述电荷穿隧材料相邻；所述沟道材料包括半导体组合物；所述半导体组合物具有与所述字线层级相邻的第一区域并且具有与所述绝缘层级相邻的第二区域；所述第一区域具有第一化学配置，而所述第二区域具有与所述第一化学配置不同的第二化学配置。

10.根据权利要求9所述的存储器阵列，其中所述第二化学配置包括与所述第一化学配置不同的掺杂剂分布。

11.根据权利要求10所述的存储器阵列，其中所述第二化学配置包括比所述第一化学配置更高的n型掺杂剂浓度。

12.根据权利要求10所述的存储器阵列，其中所述第二化学配置包括比所述第一化学配置更高的磷浓度。

13.根据权利要求9所述的存储器阵列，其中所述第一区域是p型，而所述第二区域是n型。

14.根据权利要求9所述的存储器阵列，其中所述第一区域是n型，而所述第二区域是p型。

15.根据权利要求9所述的存储器阵列，其中所述绝缘层级包括空隙。

16.根据权利要求9所述的存储器阵列，其中所述绝缘层级包括二氧化硅。

17.根据权利要求9所述的存储器阵列，其中所述电荷存储材料被配置为区段，所述区段彼此上下布置并且通过中间绝缘区域而彼此垂直间隔开。

18.根据权利要求17所述的存储器阵列，其中所述电荷存储材料是电荷陷获材料。