[发明专利]场效晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种场效晶体管结构，其特征在于，包括:

绝缘体覆硅结构的硅层;

线状的栅极结构层，设置在所述硅层上，其中所述栅极结构层包含第一区域及与所述第一区域相邻接的第二区域;

沟槽隔离结构，在所述硅层中，位于所述栅极结构层对应所述第二区域的两边，其中所述栅极结构层的所述第二区域在所述硅层上，且重叠覆盖所述沟槽隔离结构; 以及

源极区域与漏极区域，设置在所述硅层中，位于所述栅极结构层对应所述第一区域的两边，

其中所述栅极结构层的所述第二区域包含导电型结部分，且所述栅极结构层的所述第二区域下方的所述硅层的宽度小于所述栅极结构层的所述第一区域的宽度。

2.根据权利要求 1 所述的场效晶体管结构，其特征在于，所述栅极结构层的所述第二区域包含第一部分及第二部分，来自所述栅极结构层的所述第一区域以及所述第二区域的第一部分是第二导电型，所述第二部分是第一导电型且邻接于所述第一部分。

3.根据权利要求 2 所述的场效晶体管结构，其特征在于，所述硅层包括:

所述第一导电型的阱区，在所述栅极结构层的所述第一区域及所述栅极结构层的所述第二区域的所述第一部分的下方;

所述第一导电型的扩散区域，在所述栅极结构层的所述第二区域的所述第二部分的下方; 及

第一导电型的端点区域，邻接于所述扩散区域且未与所述栅极结构层重叠。

4.根据权利要求 3 所述的场效晶体管结构，其特征在于，还包括连接结构在所述端点区域上。

5.根据权利要求 3 所述的场效晶体管结构，其特征在于，所述端点区域的第一掺杂浓度高于所述阱区的第二掺杂浓度，所述扩散区域的第三掺杂浓度在所述第一掺杂浓度与所述第二掺杂浓度之间。

6.根据权利要求 1 所述的场效晶体管结构，其特征在于，在所述沟槽隔离结构对应所述第二区域的所述两边的两个所述沟槽隔离结构之间的距离是小于所述栅极结构层的线宽。

7.根据权利要求 6 所述的场效晶体管结构，其特征在于，所述距离相对于所述线宽是在0.4到0.7的范围内。

8.根据权利要求 1 所述的场效晶体管结构，其特征在于，所述栅极结构层包括叠置的栅极绝缘层及栅极层。

9.根据权利要求 8 所述的场效晶体管结构，其特征在于，所述栅极层是多晶硅。

10.根据权利要求 1 所述的场效晶体管结构，其特征在于，在所述栅极结构层的所述第二区域的所述导电型结部分，依照所述栅极结构层的所述第一区域的导电型，是NP结部分或是PN结部分。

11.一种制造场效晶体管的方法，其特征在于，包括:

提供硅层，其中所述硅层有一部分是在相邻两个沟槽隔离结构之间;

形成线状的栅极结构层在所述硅层上，包含第一区域及与所述第一区域相邻接的第二区域，所述栅极结构层的所述第二区域重叠覆盖所述硅层与所述沟槽隔离结构，且所述栅极结构层的所述第二区域下方的所述硅层的宽度小于所述栅极结构层的所述第一区域的宽度，

其中所述沟槽隔离结构在所述硅层中，位于所述栅极结构层对应所述第二区域的两边，其中所述第二区域从所述第一区域依续有第一部分与第二部分;

进行第一注入工艺，将第一型掺质至少注入到所述栅极结构层的所述第二区域的所述第二部分; 以及

进行第二注入工艺，将第二型掺质至少注入到所述硅层以形成源极区域与漏极区域在所述栅极结构对应所述第一区域的两边，其中不包含所述第二区域的所述第二部分的所述栅极结构也被注入，如此相对所述第二区域构成导电型结部分。