[发明专利]磁传感器装置有效
申请号: | 202010391769.6 | 申请日: | 2020-05-11 |
公开(公告)号: | CN112596007B | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 蔡永福;斋藤祐太 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;陈明霞 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 装置 | ||
1.一种磁传感器装置,其特征在于,
具备:
磁场转换部,其接受沿第一方向输入的输入磁场,并沿与所述第一方向正交的第二方向输出输出磁场;
磁场检测部,其设置于能够施加有所述输出磁场的位置;以及
磁屏蔽,其遮蔽沿所述第二方向的外部磁场,
当沿所述第一方向观察时,所述磁场转换部具有正交于所述第一方向和所述第二方向的两者的第三方向上的长度比所述第二方向上的长度长的形状,
当沿所述第一方向观察时,所述磁屏蔽设置于与所述磁场转换部和所述磁场检测部重叠的位置。
2.根据权利要求1所述的磁传感器装置,其特征在于,
当沿所述第一方向观察时,所述磁屏蔽具有所述第二方向上的最大长度比所述第三方向上的最大长度短的形状。
3.根据权利要求1或2所述的磁传感器装置,其特征在于,
多个所述磁场转换部沿所述第二方向排列。
4.根据权利要求1或2所述的磁传感器装置,其特征在于,
所述磁屏蔽包含第一磁屏蔽和第二磁屏蔽,
在所述第一方向上的所述第一磁屏蔽和所述第二磁屏蔽之间,设置有所述磁场转换部和所述磁场检测部。
5.根据权利要求1或2所述的磁传感器装置,其特征在于,
具备多个所述磁场检测部,
当沿所述第一方向观察时,所述多个磁场检测部设置于以沿所述磁场转换部的长边方向的轴线为中心的轴对称的位置,所述轴线通过所述磁场转换部的短边方向的中心。
6.根据权利要求1或2所述的磁传感器装置,其特征在于,
所述磁场检测部包含磁阻效应元件,
所述磁阻效应元件具有磁化固定于所述第二方向的磁化固定层和磁化方向相应于施加的所述输出磁场而变化的磁化自由层。
7.根据权利要求6所述的磁传感器装置,其特征在于,
所述磁场检测部包含多个所述磁阻效应元件,
所有的所述磁阻效应元件的所述磁化固定层的磁化被固定于大致相同方向。
8.根据权利要求1或2所述的磁传感器装置,其特征在于,
所述磁场检测部包含TMR元件或GMR元件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社,未经TDK株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010391769.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。