[发明专利]透光型双面碲化镉发电玻璃及其制备方法

权利要求书

1.一种透光型双面碲化镉发电玻璃，其特征在于，由上至下依次包括：太阳能电池芯片I、封装胶膜和太阳能电池芯片II，所述太阳能电池芯片I和太阳能电池芯片II由上之下均依次包括：玻璃基底层、透明导电膜层、窗口层、碲化镉吸收层、背电极层，太阳能电池芯片I还包括多条平行的激光刻蚀槽I，所述激光刻蚀槽I穿透所述太阳能电池芯片I的窗口层、碲化镉吸收层、背电极层；太阳能电池芯片II还包括多条平行的激光刻蚀槽II，所述激光刻蚀槽II穿透所述太阳能电池芯片II的窗口层、碲化镉吸收层、背电极层；所述激光刻蚀槽II垂直所述激光刻蚀槽I。

2.根据权利要求1所述的组件，其特征在于，所述封装胶膜选自EVA胶膜、POE胶膜和PVB胶膜中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的组件，其特征在于，所述透明导电膜层厚度为300～400nm，所述窗口层厚度为50～120nm，所述碲化镉吸收层厚度为2～4um，所述背电极层厚度为150～250nm。

4.根据权利要求1所述的组件，其特征在于，所述激光刻蚀槽I和所述激光刻蚀槽II为直线形。

5.一种透光型双面碲化镉发电玻璃的制备方法，其特征在于，包括：

(1)玻璃基底层表面依次生长透明导电膜层、窗口层、碲化镉吸收层、背电极层，并采用激光刻线完成串联，得到太阳能电池单元；

(2)所述太阳能电池单元激光刻蚀形成多条平行激光刻线的激光刻蚀槽I，得到太阳能电池芯片I；所述太阳能电池单元激光刻蚀形成多条垂直激光刻线的的激光刻蚀槽II，得到太阳能电池芯片II；

(3)采用封装胶膜封装所述太阳能电池芯片I和所述太阳能电池芯片II。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，采用LPCVD法生长所述透明导电膜层，采用近空间升华法生长所述窗口层和所述碲化镉吸收层，采用直流磁控溅射镀膜生长所述背电极层。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)具体包括：

A、在玻璃衬底上依次生长透明导电氧化膜层、窗口层、碲化镉吸收层后，进行激光P1刻划，通过激光刻蚀透明导电氧化膜层、窗口层、碲化镉吸收层，然后在P1刻划的刻线槽内填充负性光刻胶；

B、光刻胶工艺完成后，进行P2刻划，通过激光刻蚀透明导电氧化膜层、窗口层、碲化镉吸收层，P2刻划具体为：以P1刻划的刻线为基础线，在离基础线50-100μm的距离刻蚀P2激光刻线；

C、P2刻划完成后，在光吸收层上生长背电极层，然后进行P3刻划，通过激光刻蚀背电极层和光吸收层膜厚的一半，P3刻划具体为：以P2刻划的刻线为基础线，在离基础线50-100μm的距离刻蚀P3激光刻线，得到太阳能电池单元。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)具体包括：所述太阳能电池单元采用532nm的激光激光刻蚀形成多条平行激光刻线的激光刻蚀槽I，得到太阳能电池芯片I；所述太阳能电池单元采用1064nm的激光激光刻蚀形成多条垂直激光刻线的的激光刻蚀槽II，得到太阳能电池芯片II。

9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)具体包括：采用封装胶膜封装所述太阳能电池芯片I和所述太阳能电池芯片II；所述组件由上至下依次包括：所述太阳能电池芯片I、封装胶膜和所述太阳能电池芯片II；所述激光刻蚀槽II垂直所述激光刻蚀槽I。

10.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：组件两侧设置接线盒。