[发明专利]透光型双面碲化镉发电玻璃及其制备方法

说明书

本发明公开一种透光型双面碲化镉发电玻璃及其制备方法，由上至下依次包括：太阳能电池芯片I、封装胶膜和太阳能电池芯片II，所述太阳能电池芯片I和太阳能电池芯片II由上之下均依次包括：玻璃基底层、透明导电膜层、窗口层、碲化镉吸收层、背电极层，太阳能电池芯片I还包括多条平行的激光刻蚀槽I，所述激光刻蚀槽I穿透所述太阳能电池芯片I的窗口层、碲化镉吸收层、背电极层；太阳能电池芯片II还包括多条平行的激光刻蚀槽II，所述激光刻蚀槽II穿透所述太阳能电池芯片II的窗口层、碲化镉吸收层、背电极层；所述激光刻蚀槽II垂直所述激光刻蚀槽I，所述组件实现了双面发电又可透光，透光率高，提高了发电效率，降低了生产成本。

技术领域

本发明涉及光伏技术领域，具体涉及一种透光型双面碲化镉发电玻璃及其制备方法。

背景技术

太阳能电池组件是采用光伏技术直接将光能转换为电能的一种器件，其中碲化镉薄膜太阳能电池被广泛认为是结构简单，生产成本相对低廉，商业化进展最快的高效廉价的薄膜电池。随着薄膜太阳能电池的发展，由于其外观的美观性，应用场景也越来越多元化，主要的有除光伏电站外，如光伏大棚、光伏农业以及光伏建筑一体化等，既需要电池提高效率的同时，能够应用不同的场景。目前现有的薄膜太阳能电池多为单面的，主要应用就是地面电站，如果和农业建筑结合，就需要做成透光的，但透光之后发电效率会降低，透光率越大，效率降低越大，这对于广泛的应用存在壁垒。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种透光型双面碲化镉发电玻璃及其制备方法，实现双面发电又可透光，透光率高，提高发电效率，降低生产成本。

为解决以上技术问题，本申请提供的技术方案是一种透光型双面碲化镉发电玻璃，由上至下依次包括：太阳能电池芯片I、封装胶膜和太阳能电池芯片II，所述太阳能电池芯片I和太阳能电池芯片II由上之下均依次包括：玻璃基底层、透明导电膜层、窗口层、碲化镉吸收层、背电极层，太阳能电池芯片I还包括多条平行的激光刻蚀槽I，所述激光刻蚀槽I穿透所述太阳能电池芯片I的窗口层、碲化镉吸收层、背电极层；太阳能电池芯片II还包括多条平行的激光刻蚀槽II，所述激光刻蚀槽II穿透所述太阳能电池芯片II的窗口层、碲化镉吸收层、背电极层；所述激光刻蚀槽II垂直所述激光刻蚀槽I。

优选的，所述封装胶膜选自EVA胶膜、POE胶膜和PVB胶膜中的任意一种。

优选的，所述透明导电膜层为TCO膜，所述窗口层为硫化镉窗口层。

优选的，所述背电极层材料为钼。

优选的，所述透明导电膜层厚度为300～400nm，所述窗口层厚度为50～120nm，所述碲化镉吸收层厚度为2～4um，所述背电极层厚度为150～250nm。

优选的，所述激光刻蚀槽I和所述激光刻蚀槽II为直线形。

优选的，激光刻蚀槽I和所述激光刻蚀槽II的宽度为70μm。

本发明还提供了一种透光型双面碲化镉发电玻璃的制备方法，包括：

(1)玻璃基底层表面依次生长透明导电膜层、窗口层、碲化镉吸收层、背电极层，并采用激光刻线完成串联，得到太阳能电池单元；

(2)所述太阳能电池单元激光刻蚀形成多条平行激光刻线的激光刻蚀槽I，得到太阳能电池芯片I；所述太阳能电池单元激光刻蚀形成多条垂直激光刻线的的激光刻蚀槽II，得到太阳能电池芯片II；

(3)采用封装胶膜封装所述太阳能电池芯片I和所述太阳能电池芯片II。

优选的，采用LPCVD法生长所述透明导电膜层，采用近空间升华法生长所述窗口层和所述碲化镉吸收层，采用直流磁控溅射镀膜生长所述背电极层。