[发明专利]一种适用于开发工艺的碳化硅石墨基座在审
申请号: | 202010392235.5 | 申请日: | 2020-05-11 |
公开(公告)号: | CN111441086A | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 林培英;黄春立;朱佰喜 | 申请(专利权)人: | 东莞市志橙半导体材料有限公司 |
主分类号: | C30B25/12 | 分类号: | C30B25/12;C30B29/40 |
代理公司: | 深圳市添源知识产权代理事务所(普通合伙) 44451 | 代理人: | 罗志伟 |
地址: | 520523 广东省东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适用于 开发 工艺 碳化硅 石墨 基座 | ||
1.一种适用于开发工艺的碳化硅石墨基座,其特征在于:包括主盘及多个载盘,所述主盘与所述载盘为分体式,所述载盘与所述主盘为可拆卸可安装连接。
2.根据权利要求1所述适用于开发工艺的碳化硅石墨基座的,其特征在于:所述主盘位于所述碳化硅石墨基座的底部,具有承载、传递热量的作用。
3.根据权利要求1所述适用于开发工艺的碳化硅石墨基座的,其特征在于:所述主盘的顶部分布着若干与所述载盘一一对应的凹槽,每个所述凹槽承载一个所述载盘。
4.根据权利要求3所述适用于开发工艺的碳化硅石墨基座的,其特征在于:所述凹槽与所述载盘通过定位结构装配。
5.根据权利要求4所述适用于开发工艺的碳化硅石墨基座的,其特征在于:所述定位结构包括相配合的定位柱和定位孔。
6.根据权利要求3所述适用于开发工艺的碳化硅石墨基座的,其特征在于:所述凹槽沿所述主盘的周向间隔均匀布置。
7.根据权利要求1所述适用于开发工艺的碳化硅石墨基座的,其特征在于:所述载盘上承载有晶圆。
8.根据权利要求1所述适用于开发工艺的碳化硅石墨基座的,其特征在于:所述载盘的外侧形状为圆形、三角形、正方形、矩形、多边形、跑道形中的任意一种。
9.根据权利要求1所述适用于开发工艺的碳化硅石墨基座的,其特征在于:所述主盘、载盘的外表面均涂覆碳化硅薄膜涂层。
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