[发明专利]一种适用于开发工艺的碳化硅石墨基座

说明书

本发明提供了一种适用于开发工艺的碳化硅石墨基座，包括主盘及多个载盘，所述主盘与所述载盘为分体式，所述载盘与所述主盘为可拆卸可安装连接。本发明的有益效果是：采用分体式设置，既能满足生产需求，也能满足工艺开发的设计调整，极大地提高了外延基座的使用效率，避免了浪费。

技术领域

本发明涉及石墨基座，尤其涉及一种适用于开发工艺的碳化硅石墨基座。

背景技术

目前，现有能用于大批量生产的GaN的外延石墨基座，基本为一体式的碳化硅石墨基座，因此，在开发工艺过程中，批量性的生产基座有一定的工艺调整局限性，为此，往往会重新设计新的盘。由于碳化硅石墨基座成本很高，而往往用于开发工艺的基座使用次数并不多，这导致生产开发GaN工艺成本高，并且造成了很大的浪费。

发明内容

为了解决现有技术中的问题，本发明提供了一种适用于开发工艺的碳化硅石墨基座。

本发明提供了一种适用于开发工艺的碳化硅石墨基座，包括主盘及多个载盘，所述主盘与所述载盘为分体式，所述载盘与所述主盘为可拆卸可安装连接。

作为本发明的进一步改进，所述主盘位于所述碳化硅石墨基座的底部，具有承载、传递热量的作用。

作为本发明的进一步改进，所述主盘的顶部分布着若干与所述载盘一一对应的凹槽，每个所述凹槽承载一个所述载盘。

作为本发明的进一步改进，所述凹槽与所述载盘通过定位结构装配。

作为本发明的进一步改进，所述定位结构包括相配合的定位柱和定位孔。

作为本发明的进一步改进，所述凹槽沿所述主盘的周向间隔均匀布置。

作为本发明的进一步改进，所述载盘上承载有晶圆。

作为本发明的进一步改进，所述载盘的外侧形状为圆形、三角形、正方形、矩形、多边形、跑道形中的任意一种。

作为本发明的进一步改进，所述主盘、载盘的外表面均涂覆碳化硅薄膜涂层。

本发明的有益效果是：通过上述方案，采用分体式设置，既能满足生产需求，也能满足工艺开发的设计调整，极大地提高了外延基座的使用效率，避免了浪费。

附图说明

图1是本发明一种适用于开发工艺的碳化硅石墨基座的分解示意图。

具体实施方式

下面结合附图说明及具体实施方式对本发明作进一步说明。

如图1所示，一种适用于开发工艺的碳化硅石墨基座，包括分体式设计的一个主盘1及多个载盘2，所述载盘2与所述主盘1为可拆卸可安装连接。本分体式设计既能满足生产需求，也能满足工艺开发的设计调整，极大地提高了外延基座的使用效率。

碳化硅石墨基座是一种以石墨为基材原料，根据设计并加工后表面涂覆一层碳化硅薄膜的基座。

如图1所示，一般主盘1的大直径尺寸都根据机台是固定的，而载盘2的局部设计则是工艺开发的关键，为此，本发明提出了一种分体式设计，采用主盘1跟多个载盘2的结合，在正常情况下，载盘2的尺寸设计可以按照批量基座跟开发设计的尺寸设计，在使用过程中，把各个载盘2放入主盘1的指定位置，组合成一个整体基座，即可放入机台上，像一体式基座那样正常使用，生长MOCVD（金属有机化合物化学气相沉淀）工艺。