[发明专利]半导体组体

权利要求书

1.一种半导体组体，其特征在于，包括：

一半导体芯片；

一第一布线结构，其包括交替形成的至少一介电层及至少一导电层，其中该半导体芯片通过多个凸块电性连接至该第一布线结构；以及

一第二布线结构，其包括：

一弯翘平衡件，其具有一顶面、一底面及一外围侧壁；

一核心层，其具有一顶面及一底面，并侧向环绕该弯翘平衡件的该外围侧壁；

一顶部增层，其设置于该弯翘平衡件的该顶面与该核心层的该顶面上方；以及

一底部增层，其设置于该弯翘平衡件的该底面与该核心层的该底面下方，并通过该弯翘平衡件与该核心层的至少一者电性连接至该顶部增层，

其中该第一布线结构通过多个连接点电性连接至该第二布线结构，且该多个连接点重叠于该弯翘平衡件上方。

2.如权利要求1所述的半导体组体，其特征在于，该弯翘平衡件的弹性模数高于该核心层的弹性模数。

3.如权利要求1或2所述的半导体组体，其特征在于，该弯翘平衡件的弹性模数高于100GPa。

4.如权利要求1所述的半导体组体，其特征在于，该第一布线结构的弹性模数低于该弯翘平衡件的弹性模数。

5.如权利要求1所述的半导体组体，其特征在于，该第一布线结构的表面积小于该第二布线结构的表面积。

6.如权利要求1或5所述的半导体组体，其特征在于，设置于该半导体芯片与该第一布线结构间的该多个凸块的尺寸小于设置于该第一布线结构与该第二布线结构间的该多个连接点的尺寸。

7.如权利要求1或5所述的半导体组体，其特征在于，还包括一底胶，其分配于该第一布线结构与该第二布线结构之间。

8.如权利要求1所述的半导体组体，其特征在于，该弯翘平衡件包括顶部接触垫于该顶面处及底部接触垫于该底面处，该顶部接触垫电性连接至该底部接触垫，该顶部增层电性耦接至该顶部接触垫，且该底部增层电性耦接至该底部接触垫。

9.如权利要求1所述的半导体组体，其特征在于，还包括一额外第一布线结构，其通过额外连接点电性连接至该第二布线结构，其中该额外连接点重叠于该弯翘平衡件上方，且该半导体芯片通过额外凸块进一步电性连接至该额外第一布线结构。

10.如权利要求1所述的半导体组体，其特征在于，该核心层具有一通孔，且该弯翘平衡件设置于该核心层的该通孔中。

11.如权利要求10所述的半导体组体，其特征在于，该弯翘平衡件通过一树脂黏着剂黏接至该通孔的内侧壁。

12.如权利要求11所述的半导体组体，其特征在于，还包括多个调节件，其分配于该树脂黏着剂中，以于该弯翘平衡件的该外围侧壁与该通孔的该内侧壁间的间隙中形成一修饰接合基质，其中该多个调节件的热膨胀系数低于该树脂黏着剂的热膨胀系数。

13.如权利要求12所述的半导体组体，其特征在于，该修饰接合基质的热膨胀系数低于50ppm/℃。

14.如权利要求12或13所述的半导体组体，其特征在于，该修饰接合基质于该间隙中的宽度大于10微米。

15.如权利要求11至13中任一项所述的半导体组体，其特征在于，该顶部增层包括一顶部连续交错纤维片，其覆盖该弯翘平衡件与该核心层间的该间隙中的该修饰接合基质的顶面。

16.如权利要求11至13中任一项所述的半导体组体，其特征在于，该底部增层包括一底部连续交错纤维片，其覆盖该弯翘平衡件与该核心层间的该间隙中的该修饰接合基质的底面。