[发明专利]发光器件及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202010392414.9 申请日: 2020-05-11
公开(公告)号: CN111584723B 公开(公告)日: 2022-08-05
发明(设计)人: 吴永伟 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 唐秀萍
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 发光 器件 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种发光器件的制作方法,其特征在于,包括:

步骤A:在阳极上形成空穴传输层;

步骤B:在所述空穴传输层上形成发光层,所述发光层的材料包括钙钛矿材料;

步骤C:在所述发光层上形成改性层,所述改性层的材料包括芳香多胺类化合物;

步骤D:在所述改性层上依次形成电子传输层和阴极;

其中,所述芳香多胺类化合物具有大的共轭体系以及供电子基团,所述芳香多胺类化合物包括:中的至少一种,其中,x为芳香环上氨基的数量,y为芳香环上氟原子的数量,n为烷基链中亚甲基的数量, 其中,所述氨基x的数量为大于或等于1的整数,所述氟原子y的数量为大于或等于零的整数,所述烷基链中亚甲基的数量n为大于或等于1的整数。

2.根据权利要求1所述的发光器件的制作方法,其特征在于,所述步骤C包括:

步骤c11:将芳香多胺类化合物与溶剂混合,形成芳香多胺溶液;

步骤c12:采用旋涂工艺对所述芳香多胺溶液进行涂布,以形成芳香多胺溶液层;

步骤c13:对所述芳香多胺溶液层进行退火处理,以形成所述改性层。

3.根据权利要求2所述的发光器件的制作方法,其特征在于,所述步骤c11中的所述芳香多胺类化合物的质量分数介于1%至45%之间。

4.根据权利要求3所述的发光器件的制作方法,其特征在于,所述步骤c11中所述溶剂包括乙醇、异丙醇或丙酮中的一种或其任意组合。

5.根据权利要求1所述的发光器件的制作方法,其特征在于,所述芳香多胺类化合物还含有卤素官能团和五元杂环中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的发光器件的制作方法,其特征在于,所述五元杂环包括含有氧原子、硫原子或者氮原子中的一种或其任意组合。

7.一种发光器件,其特征在于,包括:

阳极;

空穴传输层,所述空穴传输层设置于所述阳极上;

发光层,所述发光层设置在所述空穴传输层上,所述发光层的材料包括钙钛矿材料;

改性层,所述改性层设置在所述发光层上,所述改性层的材料包括芳香多胺类化合物;

电子传输层,所述电子传输层设置在所述改性层上;

阴极,所述阴极设置在所述电子传输层上;

其中,所述芳香多胺类化合物具有大的共轭体系以及供电子基团,所述芳香多胺类化合物包括:中的至少一种,其中,x为芳香环上氨基的数量,y为芳香环上氟原子的数量,n为烷基链中亚甲基的数量, 其中,所述氨基x的数量为大于或等于1的整数,所述氟原子y的数量为大于或等于零的整数,所述烷基链中亚甲基的数量n为大于或等于1的整数。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010392414.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top