[发明专利]发光器件及其制作方法

说明书

本发明公开了一种发光器件及其制作方法，包括：在阳极上形成空穴传输层；在所述空穴传输层上形成发光层，所述发光层的材料包括钙钛矿材料；在所述发光层上形成改性层，所述改性层的材料包括芳香多胺类化合物；在所述改性层上依次形成电子传输层和阴极。本发明提供的发光器件及其制作方法用于改善发光层的表面缺陷，从而提高发光器件的稳定性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光器件及其制作方法。

背景技术

有机发光二极管显示器件相对于液晶显示装置具有自发光、反应快、轻薄等优点，已被广泛应用于众多领域。

随着技术的发展，发光二极管的种类也不断扩大，得益于诸如高载流子迁移率，带隙可调，适配柔性制程，尤其是加工工艺简单且成本低等优势，钙钛矿材料获得了学术界和产业界的广泛关注。在有机发光二极管中引入钙钛矿材料以提高器件的发光效率成为热点之一。钙钛矿材料具有高发光效率，窄发射，连续可见光范围光谱可调等特点，引入钙钛矿材料能够提高发光二极管的各项性能。

钙钛矿材料具备优异的溶液加工特性，但溶液加工方式同样导致产生了大量缺陷，尤其是钙钛矿层与电子传输层的界面处。这些缺陷容易产生局域化能态，加重非辐射复合的概率，更为严重的是，这些缺陷往往成为热、光、潮湿等因素“进攻”的诱发点，引发离子迁移并加重外界水汽、氧等的渗入，这些都极大地损害了器件性能，从而影响发光器件的稳定性。

故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。

发明内容

本发明实施例提供一种发光器件及其制作方法，用于改善发光层的表面缺陷，从而提高发光器件的稳定性。

本发明提供一种发光器件的制作方法，包括：

步骤A：在阳极上形成空穴传输层；

步骤B：在所述空穴传输层上形成发光层，所述发光层的材料包括钙钛矿材料；

步骤C：在所述发光层上形成改性层，所述改性层的材料包括芳香多胺类化合物；

步骤D：在所述改性层上依次形成电子传输层和阴极。

在本发明提供的发光器件的制作方法中，所述步骤C包括：

步骤c11：将芳香多胺类化合物与溶剂混合，形成芳香多胺溶液；

步骤c12：采用旋涂工艺对所述芳香多胺溶液进行涂布，以形成芳香多胺溶液层；

步骤c13：对所述芳香多胺溶液层进行退火处理，以形成所述改性层。

在本发明提供的发光器件的制作方法中，所述步骤c11中的所述芳香多胺类化合物的质量分数介于1％至45％之间。

在本发明提供的发光器件的制作方法中，所述步骤c11中所述溶剂包括乙醇、异丙醇或丙酮中的一种或其任意组合。

在本发明提供的发光器件的制作方法中，所述芳香多胺类化合物还含有卤素官能团和五元杂环中的至少一种。

在本发明提供的发光器件的制作方法中，所述五元杂环包括含有氧原子、硫原子或者氮原子中的一种或其任意组合。

在本发明提供的发光器件的制作方法中，所述芳香多胺类化合物包括以下化学结构式中的至少一种：

其中，x为芳香环上氨基的数量，y为芳香环上氟原子的数量，n为烷基链中亚甲基的数量。

在本发明提供的发光器件的制作方法中，所述氨基x的数量为大于或等于1的整数，所述氟原子y的数量为大于或等于零的整数，所述烷基链中亚甲基的数量n为大于或等于1的整数。

本发明还提供一种发光器件，包括：