[发明专利]半导体封装及其制作方法

说明书

本发明实施例公开了一种半导体封装及其制作方法。该制作方法包括：提供第一工件，所述第一工件包括第一基板和在所述第一基板上间隔设置的多个第一重布线结构，所述第一重布线结构包括至少两层第一重布线层；在所述第一重布线结构上形成包封层，所述包封层设置有多个第一通孔，所述第一通孔暴露所述第一重布线层；在所述包封层远离所述第一重布线层的一侧设置至少两层第二重布线层，所述第二重布线层与暴露的所述第一重布线层电连接；提供多个半导体元件，将所述半导体元件设置于所述第一重布线层远离所述包封层的一侧，所述第一重布线层与所述半导体元件的引脚电连接。与现有技术相比，本发明实施例在高精度的基础上实现了低成本和高良率。

技术领域

本发明实施例涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种半导体封装及其制作方法。

背景技术

随着人工智能、5G技术和智能手机等先进技术的发展，对半导体工艺的要求也越来越高，驱使并推动着半导体产业的发展。

在半导体技术中，半导体封装技术对半导体产业的发展起到了重要的作用。半导体封装需要实现更小的外形尺寸、更轻、更薄、引脚更多、高可靠性和更低的成本等方面发展。为了满足先进技术的需要，现有技术多采用晶圆级封装(FOWLP)技术，然而晶圆级封装技术对产能占用较大，成本较高。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体封装及其制作方法，以在满足高精度要求的同时，降低半导体封装的成本。

第一方面，本发明实施例提供了一种半导体封装的制作方法，该制作方法包括：

提供第一工件，所述第一工件包括第一基板和在所述第一基板上间隔设置的多个第一重布线结构，所述第一重布线结构包括至少两层第一重布线层；

在所述第一重布线结构上形成包封层，所述包封层设置有多个第一通孔，所述第一通孔暴露所述第一重布线层；

在所述包封层远离所述第一重布线层的一侧设置至少两层第二重布线层，所述第二重布线层与暴露的所述第一重布线层电连接；

提供多个半导体元件，将所述半导体元件设置于所述第一重布线层远离所述包封层的一侧，所述第一重布线层与所述半导体元件的引脚电连接。

第二方面，本发明实施例还提供了一种半导体封装，该半导体封装包括：

至少两层第一重布线层；

包封层，位于所述至少两层第一重布线层的一侧，所述包封层包覆所述第一重布线层；

第二重布线层，所述第二重布线层位于所述包封层远离所述第一重布线层的一侧，所述第二重布线层通过贯穿所述包封层的第一通孔与所述第一重布线层电连接；

半导体元件，包括多个引脚；所述半导体元件位于所述第一重布线层远离所述包封层的一侧，所述半导体元件的引脚与所述第一重布线层电连接。

本发明实施例至少可以实现以下有益效果：

第一方面，本发明实施例将半导体元件设置在制作完成的第一重布线层和第二重布线层上，也就是说在晶圆片上可以仅制作半导体元件，提升了晶圆片的利用率，从而降低了材料成本。

第二方面，本发明实施例将半导体元件设置在制作好的第一重布线层和第二重布线层上，即使第一重布线层和第二重布线层在制作过程中发生了裂片、接触不良或异常短路等情况，也不会造成半导体元件的损坏和浪费。因此，本发明实施例无需因为重布线层的制作失败导致整个晶圆片的制作失败，从而提升了半导体封装的良率。

第三方面，本发明实施例将半导体元件设置在制作好的第一重布线层和第二重布线层上，由于制作第一重布线层和第二重布线层的过程中存在偏移和误差，本发明实施例可以根据第一重布线层和第二重布线层的偏移和误差进行微调，从而提升了半导体封装的良率。