[发明专利]一种常温NTC热敏电阻薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202010393189.0 | 申请日： | 2020-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN111613400B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 付学成;程秀兰;王英;乌李瑛;权雪玲 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01C7/04 | 分类号： | H01C7/04;H01C17/12;H01C17/14;C23C14/10;C23C14/35;C23C14/46 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 常温 ntc 热敏电阻 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种常温NTC热敏电阻薄膜，其特征在于，所述薄膜是以VO2，MgV2O5为主要成分的玻璃态多混合材料薄膜。
2.根据权利要求1所述的常温NTC热敏电阻薄膜，其特征在于，所述薄膜在-30℃～30℃条件下的电阻温度系数TCR为﹣(14％～5.5％)/℃，材料常数Bn为9100K～6200K，薄膜的电阻率为20～0.1Ω·cm。
3.一种如权利要求1所述的常温NTC热敏电阻薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上，采用磁控溅射镀膜或者离子束溅射镀膜，对还原性金属靶和五氧化二钒靶进行共溅射，制得所述常温NTC热敏电阻薄膜；
所述还原性金属靶为金属镁靶。
4.根据权利要求3所述的常温NTC热敏电阻薄膜的制备方法，其特征在于，加在金属镁靶和五氧化二钒靶上的功率比值为20～40:300。
5.根据权利要求3所述的常温NTC热敏电阻薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底包括硅、二氧化硅、氮化硅、碳化硅、玻璃、蓝宝石、云母片，金属片、或柔性基底衬底。
6.根据权利要求3所述的常温NTC热敏电阻薄膜的制备方法，其特征在于，所述共溅射是在真空达到5*10-4～1*10-6Pa时，通入高纯氩气至工作气压为0.5～5pa；待气压稳定后，金属镁靶功率20～100W，五氧化二钒靶功率100～300W进行预溅射1～5min；再以金属镁靶功率20～40W，五氧化二钒靶功率100～300W，工作气压为0.5～5pa共溅射10～60min。
7.根据权利要求3所述的常温NTC热敏电阻薄膜的制备方法，其特征在于，共溅射设备腔内的初始真空度为3*10-4Pa-1*10-7Pa。
8.根据权利要求3所述的常温NTC热敏电阻薄膜的制备方法，其特征在于，所述共溅射在10℃～30℃下进行。
9.根据权利要求3所述的常温NTC热敏电阻薄膜的制备方法，其特征在于，所述共溅射不再进行退火处理。
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