[发明专利]磁石溅射设备

权利要求书

1.一种磁石溅射设备，用于物理气相沉积法镀膜，其特征在于，包括：

溅射腔，所述溅射腔内设置有位于阴极侧的靶材，以及位于阳极侧的镀膜基片，所述镀膜基片与所述靶材相对设置；以及，

磁控装置，所述磁控装置位于所述阴极背部，所述磁控装置包括磁石矩阵，磁石包括朝向所述阴极的第一极性端和背向所述阴极的第二极性端，且各所述磁石可独立移动以调节作用在所述靶材上的磁场分布密度和强度，各所述磁石上设置有一调控单元，所述调控单元用于独立移动所述磁石，所述调控单元包括设置在所述第二极性端末端的卡扣、设置在所述卡扣两侧的挡墙、以及用于卡合所述卡扣的卡槽，所述卡槽阵列排布设置在所述挡墙上，所述卡槽关于所述卡扣对称设置，所述挡墙垂直于所述溅射腔的外表面设置，所述卡槽设置在所述挡墙，所述卡槽的开口朝向所述卡扣，所述卡扣包括卡扣主体、以及用于与所述卡槽卡合的暗卡，所述暗卡设置在所述卡扣主体内，当所述卡扣主体移动结束后，所述暗卡从所述卡扣主体内延伸出，所述暗卡与所述卡槽卡合。

2.如权利要求1所述的磁石溅射设备，其特征在于，在所述磁石矩阵中，相同朝向的极性端为N极和S极的组合，且在横向和纵向上，相邻所述磁石的第一极性端极性不同。

3.如权利要求2所述的磁石溅射设备，其特征在于，所述暗卡的截面形状为三角形、菱形、矩形、梯形中的任一种。

4.如权利要求2所述的磁石溅射设备，其特征在于，在所述暗卡设置在所述卡扣主体内时，至少一个所述卡槽到所述阴极的距离大于所述暗卡到所述阴极的距离。

5.如权利要求1所述的磁石溅射设备，其特征在于，所述磁石溅射设备还包括软体，所述调控单元与所述软体电连接，在镀膜时，通过所述软体控制所述调控单元调节所述磁石到所述阴极的距离。

6.如权利要求1所述的磁石溅射设备，其特征在于，所述磁石溅射设备上设置有至少一个通孔，所述通孔包括真空孔、通气孔，所述真空孔用于使所述溅射腔内形成真空环境，所述通气孔用于通入制程气体，所述制程气体包括氩气。