[发明专利]磁石溅射设备

说明书

本发明实施例提供的磁控溅射设备包括溅射腔以及磁控装置，溅射腔内设置有位于阴极侧的靶材，以及位于阳极侧的镀膜基片，镀膜基片与靶材相对设置，磁控装置位于阴极背部，磁控装置包括磁石矩阵，磁石包括朝向阴极的第一极性端和背向阴极的第二极性端；通过磁石的独立移动，可以调整各处的磁场分布密度和强度。

技术领域

本发明涉及溅射成膜领域，尤其涉及一种磁石溅射设备。

背景技术

现有磁石溅射设备的磁石设计很难保证整个溅射区域内磁场均匀分布，不均匀的磁场会使靶材表面的消耗情况不一样，靶材金属溅射到需要镀膜的镀膜基片上时就会不均匀，因此，现有磁石溅射设备存在膜层溅镀不均匀的技术问题。

发明内容

本发明实施例提供一种磁石溅射设备，可缓解现有磁石溅射设备存在膜层溅镀不均匀的技术问题。

本发明实施例提供一种磁石溅射设备，用于物理气相沉积法镀膜，包括：

溅射腔，所述溅射腔内设置有位于阴极侧的靶材，以及位于阳极侧的镀膜基片，所述镀膜基片与所述靶材相对设置；以及，

磁控装置，所述磁控装置位于所述阴极背部，所述磁控装置包括磁石矩阵，磁石包括朝向所述阴极的第一极性端和背向所述阴极的第二极性端，且各所述磁石可独立移动以调节作用在所述靶材上的磁场分布密度和强度。

在本发明实施例提供的磁石溅射设备中，在所述磁石矩阵中，相同朝向的极性端为N极和S极的组合，且在横向和纵向上，相邻所述磁石的第一极性端极性不同。

在本发明实施例提供的磁石溅射设备中，一所述磁石上设置有一调控单元，所述调控单元用于独立移动所述磁石。

在本发明实施例提供的磁石溅射设备中，所述调控单元包括设置在所述第二极性端末端的卡扣、以及设置在所述卡扣两侧的挡墙、以及用于卡合所述卡扣的卡槽，所述挡墙垂直于所述溅射腔的外表面设置，所述卡槽设置在所述挡墙，所述卡槽的开口朝向所述卡扣。

在本发明实施例提供的磁石溅射设备中，所述卡扣包括卡扣主体、以及用于与所述卡槽卡合的暗卡，所述暗卡设置在所述卡扣主体内，当所述卡扣主体移动结束后，所述暗卡从所述卡扣主体内延伸出，所述暗卡与所述卡槽卡合。

在本发明实施例提供的磁石溅射设备中，所述暗卡的截面形状为三角形、菱形、矩形、梯形中的任一种。

在本发明实施例提供的磁石溅射设备中，在所述暗卡设置在所述卡扣主体内时，至少一个所述卡槽到所述阴极的距离大于所述暗卡到所述阴极的距离。

在本发明实施例提供的磁石溅射设备中，所述卡槽阵列排布的设置在所述挡墙上，所述卡槽关于所述卡扣对称设置。

在本发明实施例提供的磁石溅射设备中，所述磁石溅射设备还包括软体，所述调控单元与所述软体电连接，在镀膜时，通过所述软体控制所述调控单元调节所述磁石到所述阴极的距离。

在本发明实施例提供的磁石溅射设备中，所述溅射设备上设置有至少一个通孔，所述通孔包括真空孔、通气孔，所述真空孔用于使所述溅射腔内形成真空环境，所述通气孔用于通入制程气体，所述制程气体包括氩气。

有益效果：本发明实施例提供的磁石溅射设备包括溅射腔以及磁控装置，所述溅射腔内设置有位于阴极侧的靶材，以及位于阳极侧的镀膜基片，所述镀膜基片与所述靶材相对设置，所述磁控装置位于所述阴极背部，所述磁控装置包括磁石矩阵，磁石包括朝向所述阴极的第一极性端和背向所述阴极的第二极性端，且各所述磁石可独立移动以调节作用在所述靶材上的磁场分布密度和强度；通过磁石的独立移动，可以调整各处的磁场分布密度和强度，缓解了现有磁石溅射设备存在膜层溅镀不均匀的技术问题。

附图说明

下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。